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龙图腾网获悉山东华芯半导体有限公司申请的专利一种生成静态最优电压值表的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115631780B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211219988.1，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权一种生成静态最优电压值表的方法是由曹成;李瑞东;沈力设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种生成静态最优电压值表的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种生成静态最优电压值表的方法，本方法归纳SSD从寿命初期到末期所有影响到NAND的因素，将多个SSD进行加速磨损，以观察SSD从寿命初期到末期NAND所经历的变化，在一定寿命时期，混合其他影响因素，使用不同NAND电压读取每个block内所有页数据，统一分析出适合该条件下的最佳电压值。重复上述过程，找出任何条件下的最佳电压值。本发明通过模拟SSD实际运行环境经过大量Block内数据采集得到最优电压值表，SSD内根据当前所处于的环境查找该静态表内对应的电压值进行纠错处理，降低了系统资源需求以及简化固件操作流程，提升系统读性能。

本发明授权一种生成静态最优电压值表的方法在权利要求书中公布了：1.一种生成静态最优电压值表的方法，其特征在于：包括以下步骤： S01、磨损多个SSD，在每个SSD的每个寿命阶段，施加影响到nand的其他因素； S02、在每个寿命阶段及其他影响因素下，使用shiftread命令以NAND不同电压读取所有block；统计每页数据内数据为0的总数、数据为1的总数、数据0变为数据1的总数以及该页总错误数，从而得到该block的所有数据信息； S03、统一分析步骤S02得到的block所有数据信息，具体分析数据0变为1的个数以及总错误数，根据电压变化查找数据0变为1的总数和数据1变为0的总数，在两者持平时为适合该block的最佳电压值； S04、采用步骤S03分析所有block数据，得到每个block在每个寿命阶段各种影响因素下的最佳电压值； S05、汇总每个寿命阶段每个条件下所有block的最佳电压值，查找出适配所有block最好的电压值，这样便得到该条件下的最佳电压值； S06、结合每个寿命阶段各个影响因素与S05查找到的最佳电压值，绘制为二维表，横坐标为寿命阶段，纵坐标为其他影响因素，生成最优电压值表。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东华芯半导体有限公司，其通讯地址为：250101 山东省济南市高新区经十东路汉峪金谷A2-3第16层1601室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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