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成都通量科技有限公司兰敏获国家专利权

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龙图腾网获悉成都通量科技有限公司申请的专利一种瞬态过冲优化的高增益低噪声放大器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115603668B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211128675.5,技术领域涉及:H03F1/26;该发明授权一种瞬态过冲优化的高增益低噪声放大器是由兰敏;唐攀;易凯设计研发完成,并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一种瞬态过冲优化的高增益低噪声放大器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种瞬态过冲优化的高增益低噪声放大器,包括:第一低噪声放大单元、第二低噪声放大单元和控制单元,或包括:第一低噪声放大单元或第二低噪声放大单元,以及控制单元;所述控制单元用于控制第一低噪声放大单元和第二低噪声放大单元开启和关断;所述第一低噪声放大单元与第二低噪声放大单元通过匹配单元连接;本发明解决了低噪放大器在开启或关断时引起的瞬态过冲问题。

本发明授权一种瞬态过冲优化的高增益低噪声放大器在权利要求书中公布了:1.一种瞬态过冲优化的高增益低噪声放大器,其特征在于,包括:第一低噪声放大单元、第二低噪声放大单元和控制单元,或包括:第一低噪声放大单元或第二低噪声放大单元,以及控制单元; 所述控制单元用于控制第一低噪声放大单元和第二低噪声放大单元开启和关断;所述第一低噪声放大单元与第二低噪声放大单元通过匹配单元连接; 所述第一低噪声放大单元包括:电感Lg1、接地电感LS1、场效应管M1、电容C2、电容CC1、电感Ld1、接地电容C3、电阻R1、场效应管M2、电阻R2、电容C4、电感L1、电感L2、电阻Rb3、接地电容CP1、电阻RP1、电阻Rb1和接地电阻Rb2; 所述场效应管M1的源极与接地电感LS1连接,其栅极分别与电感Lg1的一端和电阻R1的一端连接,其漏极分别与电容C2的一端、电容CC1的一端和电感Ld1的一端连接;所述电阻R1的另一端与电容C2的另一端连接,并作为偏置电压端VB1;所述场效应管M2的源极分别与接地电容C3和电感Ld1的另一端连接,其栅极分别与电阻R2的一端、电阻Rb3的一端和电容CC1的另一端连接,其漏极与电感L1的一端连接;所述电阻Rb3的另一端分别与电阻RP1的一端、电阻Rb1的一端和接地电阻Rb2连接,并作为被控端SD1;所述电阻RP1的另一端与接地电容CP1连接;所述电阻Rb1的另一端与电感L2的一端连接,并作为供电端;所述电感L2的另一端分别与电容C4的一端和电感L1的一端连接,并作为第一低噪声放大单元的输出端;所述电容C4的另一端与电阻R2的另一端连接;所述电感Lg1的另一端作为第一低噪声放大单元的输入端; 所述第二低噪声放大单元包括:电阻R3、电容C7、场效应管M3、接地电感LS2、电容CC2、电感Ld2、接地电容C8、场效应管M4、电阻Rb6、接地电容Cp2、电阻RP2、接地电阻Rb5、电阻Rb4和电感L4; 所述场效应管M3的源极与接地电感LS2连接,其栅极与电阻R3的一端连接,并作为第二低噪声放大单元的输入端;所述场效应管M3的漏极分别与电容C7的一端、电感Ld2的一端和电容CC2的一端连接;所述电阻R3的另一端与电容C7的另一端连接,并作为偏置电压端VB2;所述场效应管M4的源极分别与接地电容C8和电感Ld2的另一端连接,其栅极分别与电容CC2的另一端和电阻Rb6的一端连接,其漏极与电感L4的一端连接,并作为第二低噪声放大单元的输出端;所述电阻Rb6的另一端分别与电阻RP2的一端、接地电阻Rb5和电阻Rb4的一端连接,并作为被控端SD2;所述电阻Rb4的另一端与电感L4的另一端连接,并作为供电端;所述电阻RP2的另一端与接地电容Cp2连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人成都通量科技有限公司,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区天全路200号2栋19层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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