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西安微电子技术研究所何杰获国家专利权

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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种双像元同时输出高响应率线阵CMOS图像传感器和方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115567787B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211167289.7,技术领域涉及:H04N25/589;该发明授权一种双像元同时输出高响应率线阵CMOS图像传感器和方法是由何杰;徐晚成;李海松;李婷;张曼;崔双韬设计研发完成,并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

一种双像元同时输出高响应率线阵CMOS图像传感器和方法在说明书摘要公布了:本发明公布了一种双像元同时输出高响应率线阵CMOS图像传感器和方法,包括第一像元阵列和第二像元阵列;第一像元阵列的像元面积大于第二像元阵列的像元面积;第一像元阵列和第二像元阵列连接可编程增益放大器,可编程增益放大器连接列缓冲驱动电路的一端,列缓冲驱动电路的另一端连接多级高速控制开关的一端,多级高速控制开关的另一端连接模拟列逻辑控制电路的一端,模拟列逻辑控制电路的另一端分别连接单斜式列级并行ADC和芯片级pipelineADC;单斜式列级并行ADC连接数字列逻辑;芯片级pipelineADC和数字列逻辑均连接多通道高速LVDS接口模块。可简单有效的提升线阵CIS的响应率,且具有其它线阵CIS不具备的双成像功能。

本发明授权一种双像元同时输出高响应率线阵CMOS图像传感器和方法在权利要求书中公布了:1.一种双像元同时输出高响应率线阵CMOS图像传感器,其特征在于,包括第一像元阵列1、第二像元阵列2、可编程增益放大器3、列缓冲驱动电路4、多级高速控制开关5、模拟列逻辑控制电路6、单斜式列级并行ADC8、芯片级pipelineADC9、数字列逻辑10和多通道高速LVDS接口模块11; 所述第一像元阵列1的像元面积大于第二像元阵列2的像元面积; 所述第一像元阵列1和第二像元阵列2连接可编程增益放大器3,可编程增益放大器3连接列缓冲驱动电路4的一端,列缓冲驱动电路4的另一端连接多级高速控制开关5的一端,多级高速控制开关5的另一端连接模拟列逻辑控制电路6的一端,模拟列逻辑控制电路6的另一端分别连接单斜式列级并行ADC8和芯片级pipelineADC9;单斜式列级并行ADC8连接数字列逻辑10;芯片级pipelineADC9和数字列逻辑10均连接多通道高速LVDS接口模块11;其中,第一像元阵列1输出的模拟信号由芯片级pipelineADC9进行高速量化并在单斜式列级并行ADC8量化完成之前输出,第二像元阵列2输出的模拟信号由单斜式列级并行ADC8进行量化,待量化完成后再进行第二像元阵列2下一次曝光信号的量化,流水线工作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安微电子技术研究所,其通讯地址为:710000 陕西省西安市雁塔区太白南路198号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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