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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利闪存器件的电容测试结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211287585.0，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权闪存器件的电容测试结构及其制备方法是由徐杰;李志国设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存器件的电容测试结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪存器件的电容测试结构及其制备方法，方法包括：提供一半导体结构；去除形成于外围器件区的浮栅多晶硅层、栅间介质层、控制栅多晶硅层及所述浮栅氧化层以漏出所述衬底，并于其表面形成外围栅氧化层及外围栅极多晶硅层；刻蚀形成于存储器件区的浮栅多晶硅层、栅间介质层及控制栅多晶硅层以形成存储器件单元；刻蚀外围栅极多晶硅层以形成外围多晶硅栅，并同步刻蚀电容测试区边缘处预设宽度的控制栅多晶硅层及其下方预设厚度的栅间介质层以形成电容测试结构的下极板，此时，电容测试区的控制栅多晶硅层为电容测试结构的上极板。通过本发明解决了以现有的方法无法直接测试栅间介质层的厚度的问题。

本发明授权闪存器件的电容测试结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤1提供一半导体结构，所述半导体结构分为存储器件区、电容测试区及外围器件区，且所述半导体结构包括衬底及依次形成于所述衬底上的浮栅氧化层、浮栅多晶硅层、栅间介质层及控制栅多晶硅层； 步骤2去除形成于所述外围器件区的所述浮栅多晶硅层、所述栅间介质层、所述控制栅多晶硅层及所述浮栅氧化层以漏出所述衬底，并于其表面形成外围栅氧化层及外围栅极多晶硅层； 步骤3刻蚀形成于所述存储器件区的所述浮栅多晶硅层、所述栅间介质层及所述控制栅多晶硅层以形成存储器件单元，且所述存储器件单元与所述电容测试区之间具有间隔； 步骤4刻蚀所述外围栅极多晶硅层以形成外围多晶硅栅，且所述外围多晶硅栅与所述电容测试区之间具有间隔，并同步刻蚀所述电容测试区边缘处预设宽度的所述控制栅多晶硅层及其下方预设厚度的所述栅间介质层以形成电容测试结构的下极板，此时，所述电容测试区的所述控制栅多晶硅层为所述电容测试结构的上极板。

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