艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司T·格布尔获国家专利权
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龙图腾网获悉艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请的专利光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115552744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180038472.4，技术领域涉及：H01S5/02255；该发明授权光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法是由T·格布尔;J·塞登法登设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法在说明书摘要公布了：说明一种光电子半导体器件1，该光电子半导体器件包括具有第一安装面20A的引线框架20A、布置在第一安装面20A上的具有发射面10A的半导体芯片10、光学元件30和成型体40。该光学元件30具有横向于第一安装面20A定向的耦合输入面30A。该半导体芯片10设立用于通过发射面10A发射电磁辐射，该电磁辐射的射束轴线与该第一安装面20A平行地伸展。该光学元件30偏转该半导体芯片10的经由该耦合输入面30A耦合输入的电磁辐射。该成型体40模制到该引线框架20上并横向于第一安装面40A具有调节面40A。该光学元件30和该调节面40A彼此直接接触。此外说明一种用于制造光电子半导体器件1的方法。
本发明授权光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种光电子半导体器件1，包括： -具有第一安装面20A的引线框架20、布置在所述第一安装面20A上的具有发射面10A的半导体芯片10、光学元件30和成型体40，其中 -所述光学元件30具有横向于所述第一安装面20A定向的耦合输入面30A， -所述半导体芯片10设立用于通过所述发射面10A发射电磁辐射，所述电磁辐射的射束轴线与所述第一安装面20A平行地伸展， -所述光学元件30偏转所述半导体芯片10的经由所述耦合输入面30A耦合输入的电磁辐射， -所述成型体40模制到所述引线框架20上并且横向于所述第一安装面20A具有调节面40A， -所述光学元件30和所述调节面40A彼此直接接触，其中 -所述光学元件30与所述发射面10A直接接触，或者 -所述光学元件30与所述第一安装面20A直接接触，并且在所述发射面10A和所述光学元件30之间布置有辐射可穿透的封装料50。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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