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龙图腾网获悉联咏科技股份有限公司申请的专利驱动装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115549470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111231434.9，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权驱动装置是由郑国韦设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本驱动装置在说明书摘要公布了：一种驱动装置包括电压调节器、电压产生器、第一P通道金属氧化物半导体场效应晶体管与第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管。电压调节器耦接于第一高电压端与驱动装置的输出端之间。电压调节器接收第一高电压端的第一高电压，并降低第一高电压，以产生供应电压。电压产生器耦接第二高电压端与驱动装置的输出端。电压产生器提供参考电压给驱动装置的输出端，参考电压基本上低于供应电压。第一P通道金属氧化物半导体场效应晶体管耦接于电压调节器与驱动装置的输出端之间，第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管耦接于驱动装置的输出端与低电压端之间。

本发明授权驱动装置在权利要求书中公布了：1.一种驱动装置，其特征在于，包括： 电压调节器，耦接于第一高电压端与所述驱动装置的输出端之间，其中所述电压调节器用以接收所述第一高电压端的第一高电压，并降低所述第一高电压，以产生供应电压； 电压产生器，耦接第二高电压端与所述驱动装置的输出端，其中所述电压产生器用以提供参考电压给所述驱动装置的输出端，所述参考电压低于所述供应电压； 第一P通道金属氧化物半导体场效应晶体管，其耦接于所述电压调节器与所述驱动装置的输出端之间；以及 第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管，其耦接于所述驱动装置的输出端与低电压端之间； 其中所述电压产生器包括： 第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管，耦接所述第二高电压端与所述电压调节器； 第三N通道金属氧化物半导体场效应晶体管，耦接所述第二高电压端与所述驱动装置的输出端； 第一电子开关，耦接于所述第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管与所述第三N通道金属氧化物半导体场效应晶体管之间； 第四N通道金属氧化物半导体场效应晶体管，耦接所述驱动装置的输出端、所述第三N通道金属氧化物半导体场效应晶体管与所述低电压端； 第二电子开关，耦接于所述第四N通道金属氧化物半导体场效应晶体管与高偏压端之间；以及 信号控制器，耦接所述第一电子开关与所述第二电子开关的控制端。

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