江西兆驰半导体有限公司舒俊获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利低电流Micro-LED芯片外延结构及其制备方法、Micro-LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211332801.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权低电流Micro-LED芯片外延结构及其制备方法、Micro-LED芯片是由舒俊;张彩霞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本低电流Micro-LED芯片外延结构及其制备方法、Micro-LED芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低电流Micro‑LED芯片外延结构及其制备方法、Micro‑LED芯片，涉及半导体光电器件领域。其中，低电流Micro‑LED芯片外延结构包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层及P型半导体层；所述有源层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InGaN势阱层和GaN势垒层；所述有源层的周期数≥2；至少一个GaN势垒层中插入有AlGaN层。实施本发明，可提升电子空穴的复合，提升发光效率。
本发明授权低电流Micro-LED芯片外延结构及其制备方法、Micro-LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种低电流Micro-LED芯片外延结构，其特征在于，包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层及P型半导体层；所述有源层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InGaN势阱层和GaN势垒层；所述有源层的周期数为3~8个； 其中，多个所述InGaN势阱层的In组分含量沿外延片的生长方向呈先递减再递增趋势； 靠近所述P型半导体层的2-4个周期的GaN势垒层中均插入有AlGaN层，且多个所述AlGaN层的Al组分含量沿外延片的生长方向呈递减趋势。
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