江西兆驰半导体有限公司周志兵获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利ITO表面粗化处理方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211219290.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权ITO表面粗化处理方法及LED芯片是由周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本ITO表面粗化处理方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ITO表面粗化处理方法，包括以下步骤：准备GaN外延片，所述GaN外延片表面覆盖有ITO薄膜层；采用预设照剂量的低能离子束对所述ITO薄膜层进行离子束轰击，同时所述GaN外延片以预设速率进行自转，以使所述ITO薄膜层表面形成规律排列的纳米尺寸的点状结构，得到表面粗化后的ITO薄膜层。本发明操作简便，成本低，生产效率高，能够有效提升LED芯片的外量子效率，提升LED发光亮度。
本发明授权ITO表面粗化处理方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种ITO表面粗化处理方法，其特征在于，包括以下步骤： 准备GaN外延片，所述GaN外延片表面覆盖有ITO薄膜层； 采用预设照剂量的低能离子束对所述ITO薄膜层进行离子束轰击，同时所述GaN外延片以预设速率进行自转，以使所述ITO薄膜层表面形成规律排列的纳米尺寸的点状结构，得到表面粗化后的ITO薄膜层； 所述低能离子束的预设照剂量为1*1016uAcm2~1*1017uAcm2； 所述GaN外延片进行自转时的预设速率为10rmin~30rmin。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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