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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利阻变存储器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498105B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211267778.X，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权阻变存储器的制造方法是由蒋兴宇;沈涛;蒋中伟;董云鹤设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本阻变存储器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种阻变存储器的制造方法，包括：形成叠层结构；在该叠层结构上形成具有预定图案的掩膜层；采用第一等离子体刻蚀方法对上电极层进行刻蚀；第一等离子体刻蚀方法采用的第一工艺气体包括主刻蚀气体和能够在刻蚀形成的上电极侧壁上形成副产物的保护气体；采用第二等离子体刻蚀方法对阻变层进行刻蚀；采用第三等离子体刻蚀方法对下电极层进行刻蚀；第三等离子体刻蚀方法采用的第三工艺气体包括主刻蚀气体和保护气体。本发明提供的阻变存储器的制造方法，可以解决现有技术中存在的侧壁凹陷的问题。

本发明授权阻变存储器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，包括： 形成叠层结构，所述叠层结构包括由下而上依次设置的下电极层、阻变层和上电极层； 在所述叠层结构上形成具有预定图案的掩膜层； 采用第一等离子体刻蚀方法对所述上电极层进行刻蚀；所述第一等离子体刻蚀方法采用的第一工艺气体包括第一主刻蚀气体和能够在刻蚀形成的上电极侧壁形成副产物的保护气体； 采用第二等离子体刻蚀方法对所述阻变层进行刻蚀； 采用第三等离子体刻蚀方法对所述下电极层进行刻蚀；所述第三等离子体刻蚀方法采用的第三工艺气体包括所述第一主刻蚀气体和所述保护气体； 所述第二等离子体刻蚀方法采用的第二工艺气体包括第二主刻蚀气体和能够增强物理轰击作用的辅助刻蚀气体； 所述第二等离子体刻蚀方法与所述第一等离子体刻蚀方法的腔室压力比例为大于等于0.5:1，且小于等于1:1；所述第二等离子体刻蚀方法与所述第一等离子体刻蚀方法的上电极功率比例为大于等于1.5:1，且小于等于2.5:1；所述第二等离子体刻蚀方法与所述第一等离子体刻蚀方法的加载至基座上的射频偏压比例为大于等于1.5:1，且小于等于2.5:1。

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