无锡华润微电子有限公司钱忠健获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润微电子有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110592362.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件及其制备方法是由钱忠健;陈晓亮;陈天;孙涛设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件及其制备方法，其中半导体器件包括半导体基底、环形隔离结构及栅极结构，半导体基底包括有源区，栅极结构位于有源区上，环形隔离结构位于有源区上并环绕栅极结构。环形隔离结构外围的有源区内包括第一导电类型掺杂的体区，栅极结构两侧的有源区内包括第二导电类型掺杂的源漏区，且栅极结构两侧的源漏区通过栅极结构实现间隔设置；体区与源漏区通过环形隔离结构实现电隔离。通过环形隔离结构可以使源漏区和体区间隔开以相互独立，避免直接接触，从而源漏区和体区后续可设置独立的接触结构，保证接触效果，提高半导体器件的可靠性；同时，环形隔离结构的设置实现源漏区和体区之间的电隔离性能，进一步提高半导体器件的可靠性。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体基底，所述半导体基底包括有源区，所述半导体基底具有第一导电类型； 栅极结构，设置在所述有源区上； 环形隔离结构，设置在所述有源区上并环绕所述栅极结构；所述环形隔离结构包括设置在所述有源区上的绝缘层及设置在所述绝缘层上的多晶硅层； 其中，所述环形隔离结构外围的所述有源区内包括所述第一导电类型掺杂的体区，所述栅极结构两侧的所述有源区内包括第二导电类型掺杂的源漏区，且所述栅极结构两侧的源漏区通过所述栅极结构实现间隔设置； 所述体区与所述源漏区位于所述环形隔离结构下方的两侧，所述体区与所述源漏区通过所述环形隔离结构实现电隔离，所述第一导电类型和所述第二导电类型为相反的导电类型。
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