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龙图腾网获悉江苏鲁汶仪器有限公司申请的专利一种用于ICP腔室的晶圆均一性优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332065B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210835710.0，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种用于ICP腔室的晶圆均一性优化方法是由尹格华;刘海洋;杨宇新;郭磊;李浩;刘小波;胡冬冬;许开东设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于ICP腔室的晶圆均一性优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于ICP腔室的晶圆均一性优化方法，包括：S1，对累计射频时间进行持续监控，通过累计射频时间判断聚焦环的消耗量；当累计射频时间超过预先设定的射频时间阈值时，进入步骤S2；S2，针对不同的刻蚀工艺参数，通过调节源射频的功率分配，改变电感耦合线圈的外线圈和内线圈的功率，使晶圆的边缘区域和中心区域获得不同的等离子体密度分布，补偿因聚焦环被消耗而引起的晶圆边缘区域的等离子体鞘层的变化。本发明能够自主调节工艺菜单设定的IO功率分配，补偿由聚焦环消耗而带来的晶圆边缘区域等离子体鞘层分布和形态的变化，维持均一性稳定。

本发明授权一种用于ICP腔室的晶圆均一性优化方法在权利要求书中公布了：1.一种用于ICP腔室的晶圆均一性优化方法，其特征在于，所述ICP腔室的腔室顶部设置有耦合窗，耦合窗的上部放置有电感耦合线圈，电感耦合线圈包括外线圈和内线圈，外线圈和内线圈通过功率分配盒与源射频匹配器连接，由源射频电源提供能量； 所述优化方法包括以下步骤： S1，对累计射频时间进行持续监控，通过累计射频时间判断聚焦环的消耗量；当累计射频时间超过预先设定的射频时间阈值时，进入步骤S2； S2，针对不同的刻蚀工艺参数，通过调节源射频的功率分配，改变电感耦合线圈的外线圈和内线圈的功率，使晶圆的边缘区域和中心区域获得不同的等离子体密度分布，补偿因聚焦环被消耗而引起的晶圆边缘区域的等离子体鞘层的变化； 步骤S1中，射频时间阈值的计算过程包括以下步骤： S11，构建累计射频时间与聚焦环的消耗量之间的数学模型： FR＝RFH×k1+a； 式中，FR是聚焦环的消耗量；RFH是累计射频时间；k1和a是参数因子，根据采集到的历史生产数据拟合得到； S12，对晶圆均一性的表现进行数值化和归一化处理，得到晶圆的均一值，构建晶圆均一值和聚焦环消耗量之间的数学模型； NU＝FR×k2+b； 式中，NU是晶圆的均一值；k2和b是参数因子，根据采集到的历史生产数据拟合得到； S13，综合两个数学模型，得到： RFH＝[NU-bk2-a]k1； S14，根据晶圆均一性的限值NU*计算得到射频时间阈值RFH*。

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