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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种高频肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211020575.0，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种高频肖特基二极管及其制备方法是由宋旭波;冯志红;吕元杰;梁士雄;张立森;许婧;游恒果;刘帅;刘京亮;刘桢;盛百城设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高频肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电层上表面制备预设形状的钝化层，钝化层未覆盖导电层的中部区域；对导电层进行湿法腐蚀，形成保护环，露出部分轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层的露出部分制备第一电极，第一电极、钝化层、保护环和轻掺杂半导体层之间形成空气腔；在重掺杂半导体层下表面形成第二电极。本申请的方法能够较容易实现寄生电容小，击穿电压高的肖特基二极管，提高工作频率和耐受功率，有效提升二极管器件的成品率和一致性。

本发明授权一种高频肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高频肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括： 在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；所述轻掺杂半导体层的第一预设掺杂浓度低于所述重掺杂半导体层的第二预设掺杂浓度； 在所述轻掺杂半导体层上制备导电层，所述导电层的宽度小于所述轻掺杂半导体层的宽度； 在所述轻掺杂半导体层上表面和所述导电层上表面制备预设形状的钝化层，所述钝化层未覆盖所述导电层的中部区域； 对所述导电层进行湿法腐蚀，形成保护环，露出部分所述轻掺杂半导体层； 所述对所述导电层进行湿法腐蚀，形成保护环，包括：通过预设温度、预设浓度的腐蚀液，对所述导电层进行湿法腐蚀，去除所述导电层的目标区域的部分，形成所述保护环；其中，在所述导电层的厚度方向的投影上，所述钝化层的开口区域位于所述目标区域中，所述开口区域与所述导电层的中部区域对应； 在所述轻掺杂半导体层的露出部分制备第一电极，所述第一电极、所述钝化层、所述保护环和所述轻掺杂半导体层之间形成空气腔； 在所述重掺杂半导体层下表面形成第二电极。

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