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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种电源构造方法、片内电源及电可擦除可编程存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312102B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211031165.6，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权一种电源构造方法、片内电源及电可擦除可编程存储器是由傅俊亮设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电源构造方法、片内电源及电可擦除可编程存储器在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种电源构造方法、片内电源及电可擦除可编程存储器；通过改进的内部电源的形成方法和结构，基于硅氮氧叠层结构SONOSSilicon‑Oxide‑Nitride‑Oxide‑Silicon工艺将电可擦可编程只读存储器EEPROMElectricallyErasableProgrammableRead‑OnlyMemory电路与内部电源电路集成，利用反相驱动的使能结构，在外部电源电压和内部受控电压之间实现了电源的有效切换；避免了外部电源与负电压增压结构可能导致的击穿问题，可将内部二级电源的电压控制在3V以下，在保持SONOS结构低电压工作、速度优势及容量优势的同时，使得电可擦除可编程存储器EEPROM的擦写过程得以可靠地实现。

本发明授权一种电源构造方法、片内电源及电可擦除可编程存储器在权利要求书中公布了：1.一种电源构造方法，其特征在于，包括： 构造与预设芯片同步加工的电源功能结构，所述电源功能结构包括三端器件的构造步骤、电阻元件的构造步骤、反相驱动器件的构造步骤；所述电源功能结构的构造依据半导体工艺由预设层数的掩膜版光刻并配合各层的物理化学过程获得相应的电路结构；其中，所述电源功能结构包括片内电流源结构100、片内电压源结构200、驱动控制结构300； 连接器件外部电源到所述片内电流源结构100、所述片内电压源结构200及所述驱动控制结构300的激励端001，所述外部电源包括器件地010端； 对接第一三端器件101P0与第二三端器件102的控制端，形成第一偏置对管，并对接第三三端器件103与第四三端器件104的控制端，形成第二偏置对管；串联所述第一偏置对管与所述第二偏置对管，形成所述片内电流源结构100；其中，所述第四三端器件104与所述器件地010之间连接有第五电阻器件105； 所述片内电压源结构200根据所述驱动控制结构300第一使能信号004和或第二使能信号005的选择，在所述片内电流源结构100的激励下，输出受控的第一内部电压007；其中，所述第一内部电压007由第一偏置信号002与第一使能信号004共同控制，所述第一内部电压007由所述激励端001的电压选通或分压控制后确定；所述选通或分压过程由所述驱动控制结构300完成； 连接所述第一偏置信号002到所述驱动控制结构300的第十四三端器件302的第一控制端；所述第十四三端器件302的第二端与所述激励端001连接；所述第十四三端器件302的第三端依次串接第一反相驱动器306、第二反相驱动器307及第三反相驱动器308； 其中：所述片内电压源结构200在第二使能信号005有效时，将所述第一内部电压007拉升至所述激励端001对应的电压，所述第二使能信号005与所述第一使能信号004反相。

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