福建省晋华集成电路有限公司林毓纯获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211013620.X，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体器件的形成方法是由林毓纯;郑存闵;张正国;李武祥;陈笋弘设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件的形成方法，包括：S01，提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述导电插塞位于相邻绝缘侧壁层形成的凹槽内；S02，将衬底放置第一反应腔体内；S03，在所述第一反应腔体内形成至少覆盖所述导电插塞表面的第一金属层；S04，在所述第一反应腔体内进行第一热处理，所述导电插塞顶部的部分第一金属层与所述导电插塞发生热反应，形成第一金属硅化物；S05，在第一热处理后在第一反应腔体内的衬底表面继续形成第二金属层；S06，进行第二热处理，所述导电插塞顶部的第一金属层充分与所述导电插塞发生热反应，形成第二金属硅化物。本申请能够优化所得半导体结构的导电性能。
本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： S01，提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述导电插塞位于相邻绝缘侧壁层形成的凹槽内； S02，将衬底放置第一反应腔体内； S03，在所述第一反应腔体内形成至少覆盖所述导电插塞表面的第一金属层； S04，在所述第一反应腔体内进行第一热处理，所述导电插塞顶部的部分第一金属层与所述导电插塞发生热反应，形成第一金属硅化物； S05，在第一热处理后在第一反应腔体内的衬底表面继续形成第二金属层，所述第二金属层与所述凹槽底部之间具有间隙； S06，进行第二热处理，所述导电插塞顶部的第一金属层充分与所述导电插塞发生热反应，形成第二金属硅化物； 所述在第一热处理后在第一反应腔体内的衬底表面继续形成第二金属层的方法进一步包括：向所述绝缘侧壁层的顶部溅射第二金属，形成覆盖所述绝缘侧壁层顶部，并在所述绝缘侧壁层之间的凹槽上方连接的第二金属层。
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