旺宏电子股份有限公司吕函庭获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利对存储器装置执行操作的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110445858.9，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权对存储器装置执行操作的方法是由吕函庭;徐子轩设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本对存储器装置执行操作的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种对存储器装置执行操作的方法。对存储器装置执行操作的方法包括以下步骤。对存储器装置的一条已选择字线执行一擦除程序erasingoperation，以使欲编程的多个第一存储单元及欲擦除的多个第二存储单元的阈值电压低于一第一预定电平。对已选择字线执行一棋盘图样checkerboardpattem的一编程程序programmingoperation，使得这些第一存储单元被施加一第一编程偏压且这些第二存储单元被施加一第二编程偏压。第二编程偏压低于第一编程偏压。
本发明授权对存储器装置执行操作的方法在权利要求书中公布了：1.一种对存储器装置执行操作的方法，其中，包含： 对该存储器装置的一条已选择字线执行一擦除程序，以使欲编程的多个第一存储单元及欲擦除的多个第二存储单元的阈值电压低于一第一预定电平；以及 在对该已选择字线执行擦除程序后，对该已选择字线执行一编程程序，使得这些第一存储单元被施加一第一编程偏压且这些第二存储单元被施加一第二编程偏压，该第二编程偏压低于该第一编程偏压。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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