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龙图腾网获悉成都通量科技有限公司申请的专利一种硅基射频单刀四掷开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115208375B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210549942.X，技术领域涉及：H03K17/693；该发明授权一种硅基射频单刀四掷开关是由段小波;余益明设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基射频单刀四掷开关在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅基射频单刀四掷开关，由电阻、电感、MOS管、传输线和隔直电容组成,包括4条支路，其中一条支路是端口P1连接隔直电容C1一端，隔直电容C1另一端连接MOS管M1的源极、电感L1的一端，MOS管M1的栅极安装一个电阻R17再接控制电压VC1，MOS管M1的衬底安装一个电阻R1再接地，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的源极，MOS管M2的栅极安装一个电阻R18再接控制电压VC1，MOS管M2的衬底安装一个电阻R2再接地，MOS管M2的漏极连接MOS管M3的源极，MOS管M3的栅极安装一个电阻R19再接控制电压VC1，MOS管M3的衬底安装一个电阻R3再接地。本发明通过传输线阻抗变换方式，堆叠方式、源漏偏压方式、交流浮体方式、LC谐振方式，实现开关的高隔离度、高功率容量和高回波损耗。

本发明授权一种硅基射频单刀四掷开关在权利要求书中公布了：1.一种硅基射频单刀四掷开关的工作方法，其特征在于：所述硅基射频单刀四掷开关结构为由电阻、电感、MOS管、传输线和隔直电容组成； 包括4条支路，其中一条支路是端口P1连接隔直电容C1一端，隔直电容C1另一端连接MOS管M1的源极、电感L1的一端，MOS管M1的栅极安装一个电阻R17再接控制电压VC1，MOS管M1的衬底安装一个电阻R1再接地，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的源极，MOS管M2的栅极安装一个电阻R18再接控制电压VC1，MOS管M2的衬底安装一个电阻R2再接地，MOS管M2的漏极连接MOS管M3的源极，MOS管M3的栅极安装一个电阻R19再接控制电压VC1，MOS管M3的衬底安装一个电阻R3再接地，MOS管M3的漏极与电感L1另一端，隔直电容C2一端相连接，隔直电容C2另一端连接端口P2、传输线TL1一端，传输线TL1另一端连接电感L2一端、MOS管M4的源极,MOS管M4的栅极安装一个电阻R20再接控制电压VC1，MOS管M4的衬底安装电阻R4再接地，MOS管M4的漏极和电感L2另一端相连接，VC1为高电平； 第二条支路是，端口P1连接隔直电容C3一端，隔直电容C3另一端连接电感L3一端、MOS管M1-1的源极，MOS管M1-1的栅极安装一个电阻R21再接控制电压VC2，MOS管M1-1的衬底安装有电阻R5再接地，MOS管M1-1的漏极连接MOS管M2-1的源极，MOS管M2-1的栅极安装一个电阻R22再接控制电压VC2，MOS管M2-1的衬底安装有电阻R6再接地，MOS管M2-1漏极连接MOS管M3-1的源极，MOS管M3-1的栅极安装一个电阻R23再接控制电压VC2，MOS管的M3-1衬底安装有电阻R7再接地，MOS管M3-1的漏极连接电感L3的另一端、隔直电容C4的一端，隔直电容C4的另一端连接P3端口、传输线TL2一端，传输线TL2另一端连接电感L4一端，MOS管M4-1的源极，MOS管M4-1的栅极安装一个电阻R24再接控制电压VC2，MOS管M4-1的衬底安装有电阻R8再接地，MOS管M4-1的漏极连接电感L4的另一端，VC2为低电平； 第三条支路是，端口P1连接隔直电容C5一端，隔直电容C5另一端连接电感L5一端、MOS管M1-2的源极，MOS管M1-2的栅极安装一个电阻R25再接控制电压VC2，MOS管M1-2衬底安装有电阻R9再接地，MOS管M1-2的漏极连接MOS管M2-2的源极，MOS管M2-2的栅极安装一个电阻R26再接控制电压VC2，MOS管M2-2的衬底安装有电阻R10再接地，MOS管M2-2的漏极连接MOS管M3-2的源极，MOS管的M3-2的栅极安装一个电阻R27再接控制电压VC2，MOS管的M3-2的衬底安装有电阻R11再接地，MOS管的M3-2的漏极连接电感L5的另一端、隔直电容C6的一端，隔直电容C6另一端连接端口P4、传输线TL3一端，传输线TL3另一端连接电感L6一端、MOS管M4-2的源极，MOS管M4-2的栅极安装一个电阻R28再接控制电压VC2，MOS管M4-2的衬底安装有电阻R12再接地，MOS管M4-2的漏极连接电感L6另一端； 第四条支路是，端口P1连接隔直电容C7一端，隔直电容C7另一端连接电感L7一端、MOS管M1-3的源极，MOS管M1-3的栅极安装一个电阻R29再接控制电压VC2，MOS管M1-3的衬底安装有电阻R13再接地，MOS管的漏极连接MOS管M2-3的源极，MOS管M2-3的栅极安装一个电阻R30再接控制电压VC2，MOS管M2-3的衬底安装有电阻R14再接地，MOS管M2-3的漏极连接MOS管M3-3的源极，MOS管M3-3的栅极安装一个电阻R31再接控制电压VC2，MOS管M2-3的衬底安装有电阻R15再接地，MOS管M3-3的漏极连接电感L7另一端、隔直电容C8一端，隔直电容C8另一端连接端口P5、传输线TL4一端，传输线TL4另一端连接电感L8一端、MOS管M4-3的源极，MOS管M4-3的栅极安装一个电阻R32再接控制电压VC2，MOS管M4-3的衬底安装有电阻R16再接地，MOS管M4-3的漏极连接电感L8另一端；电阻R1-R16的电阻均≥10千欧； 工作方法为： 对于选通支路，控制电压VC1为高电平，MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4等效为小电阻，信号从端口P1流入端口P2，并联支路由传输线TL1和MOS管M4串联组成，等效为一端短路的四分之一波长传输线，从端口P2向并联支路看去的阻抗很高，信号不会由并联支路流入地面，MOS管M4的栅极控制电压为高电平，其工作状态不会因为端口P2的大电压摆幅而改变，TL1与MOS管M4组成的并联支路耐受很高的电压，从而提升开关电路的功率容量，对于关闭支路，单个晶体管在处理较大功率的射频信号时，大功率信号的摆幅会导致处于关断状态的晶体管内部寄生PN结重新导通或击穿，导致射频信号功率的泄漏，从而恶化开关的插损和降低功耗容量，为了实现高功率容量，采用3个MOS管分担电压摆幅，避免单个MOS管因承受过大的电压摆幅而使工作状态发生改变导致输出功率提前压缩，从而提高线性度，为了进一步提升关闭支路的功率承受能力，将漏极和源极节点的直流电平提升为高电平，栅极通过大电阻接低电平，使漏极和源极节点相对于栅极进行反向偏置，防止大信号在MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3的栅极产生大电压摆幅而改变MOS管的工作状态； 对于关闭的其余三条支路，控制电压VC2为低电平，MOS管M1-1、MOS管M1-2、MOS管M1-3、MOS管M2-1、MOS管M2-2、MOS管2-3、MOS管M3-1、MOS管M3-2、MOS管M3-3等效为大电阻，信号不会从端口P1流入端口P3、端口P4、端口P5，并联支路由TL2、TL3、TL4与MOS管M4-1、MOS管M4-2、MOS管M4-3串联组成，等效为一端开路的四分之一波长传输线，从端口P3、端口P4、端口P5向并联支路看去的阻抗为低阻，通过选择合适的TL尺寸，使TL和MOS管串联形成的低阻抗为端口P3、端口P4、端口P5的阻抗，从而优化关闭支路的端口匹配，提升回波损耗。

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