华虹半导体(无锡)有限公司吴家辉获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利改善晶圆翘曲的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210899597.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权改善晶圆翘曲的方法是由吴家辉;张宾;蒋与浩;夏瑞设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善晶圆翘曲的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善晶圆翘曲的方法，提供形成有沟槽的衬底和沉积机台，衬底上形成有硬掩膜层，将衬底置于沉积机台的工艺腔室中；在工艺腔室内的温度调节为第一温度，之后在衬底上沉积填充沟槽的第一薄膜层；在工艺腔室内的温度升高至第二温度，之后在第一薄膜层上沉积第二薄膜层。本发明在低温时沉积一定厚度的栅极层，实现沟槽填充；再将炉管升温沉积剩余厚度的栅极层；改善SGT产品翘曲的同时提升了产能。
本发明授权改善晶圆翘曲的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供形成有沟槽的衬底和沉积机台，所述衬底上形成有硬掩膜层，将所述衬底置于所述沉积机台的工艺腔室中； 步骤二、在所述工艺腔室内的温度调节为第一温度，所述第一温度为510至550摄氏度，之后在所述衬底上沉积填满所述沟槽的第一薄膜层，所述第一薄膜层的材料为多晶硅，所述第一温度使得所述第一薄膜层实现所述沟槽的填充； 步骤三、在所述工艺腔室内的温度升高至第二温度，且所述第二温度高于所述第一温度，所述第二温度为560至595摄氏度，之后在所述第一薄膜层上沉积第二薄膜层，所述第二薄膜层的材料为多晶硅，通过连续两步的沉积，以进行屏蔽栅沟槽型器件的制造。
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