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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利外延片翘曲度的控制方法及衬底托盘获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210632936.0，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权外延片翘曲度的控制方法及衬底托盘是由郭艳敏;方园;邹学锋;盛百城设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本外延片翘曲度的控制方法及衬底托盘在说明书摘要公布了：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种外延片翘曲度的控制方法及衬底托盘。该方法包括：将翘曲度为非零值的衬底放置在内部包含空气腔的衬底托盘上；采用外延工艺，在衬底的外延生长面上进行外延层生长，对上述衬底与外延层进行降温处理，以使得到翘曲度小的外延片，其中，衬底托盘的空气腔形状使得衬底托盘的边缘与中部的温差保持在预设范围区间。本申请能够减小生成的外延片的翘曲度，提高外延片的均匀性，进而提高了使用上述外延片制备得到的半导体器件的均一性以及成品率。

本发明授权外延片翘曲度的控制方法及衬底托盘在权利要求书中公布了：1.一种外延片翘曲度的控制方法，其特征在于，包括： 将翘曲度为非零值的衬底放置在内部包含空气腔的衬底托盘上； 采用外延工艺，在所述衬底的外延生长面上进行外延层生长，对所述衬底与所述外延层进行降温处理，以使得到翘曲度小的外延片； 其中，所述将翘曲度为非零值的衬底放置在内部包含空气腔的衬底托盘上之前，还包括： 获取衬底的第一热膨胀系数以及将要生长的外延层的第二热膨胀系数； 若所述第一热膨胀系数小于所述第二热膨胀系数，则选取第一衬底托盘作为衬底托盘，选取翘曲度为正值的衬底作为衬底；其中，所述第一衬底托盘中的空气腔形状使得所述第一衬底托盘的边缘与中部的温差保持在预设范围区间； 若所述第一热膨胀系数大于所述第二热膨胀系数，则选取第二衬底托盘作为衬底托盘，选取翘曲度为负值的衬底作为衬底；其中，所述第二衬底托盘中的空气腔形状使得所述第二衬底托盘的边缘与中部的温差保持在预设范围区间； 对于所述第一衬底托盘，所述空气腔的第一厚度大于所述空气腔的第二厚度；对于所述第二衬底托盘，所述空气腔的第一厚度小于所述空气腔的第二厚度； 其中，所述第一厚度为在所述衬底托盘边缘处空气腔的厚度，第二厚度为在所述衬底托盘中部空气腔的厚度，所述第一厚度与第二厚度为在衬底托盘厚度方向上空气腔上下边缘之间的距离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十三研究所，其通讯地址为：050051 河北省石家庄市合作路113号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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