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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利基于残差放大的分段双切换方式逐次逼近型模数转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115133933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210852102.0，技术领域涉及：H03M1/46；该发明授权基于残差放大的分段双切换方式逐次逼近型模数转换器是由张国和;赵越设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于残差放大的分段双切换方式逐次逼近型模数转换器在说明书摘要公布了：一种基于残差放大的分段双切换方式逐次逼近型模数转换器，包括电容阵列、比较器和逻辑控制单元；电容阵列包括第一电容阵列MSBsarray、桥接电容Ca、第二电容阵列SSBsarray、桥接电容Cb以及第三电容阵列LSBsarray，通过桥接电容将三个电容阵列连接；比较器的正输入端和反输入端均与第一电容阵列MSBsarray连接，比较器的输出端与逻辑控制单元连接，通过比较器将残差电压进行采样和放大，再与最小分辨率LSB进行比较，本发明采用分段电容方法，通过引入桥接电容，降低了传统高精度逐次逼近型模数转换器数模转换器的电容数量。采用残差放大技术，在不增大电容阵列面积的情况下实现了精度的提高。

本发明授权基于残差放大的分段双切换方式逐次逼近型模数转换器在权利要求书中公布了：1.一种基于残差放大的分段双切换方式逐次逼近型模数转换器，其特征在于：包括电容阵列、比较器和逻辑控制单元；所述电容阵列包括第一电容阵列MSBsarray、桥接电容Ca、第二电容阵列SSBsarray、桥接电容Cb以及第三电容阵列LSBsarray，通过桥接电容Ca、桥接电容Cb将第一电容阵列MSBsarray、第二电容阵列SSBsarray以及第三电容阵列LSBsarray进行连接；所述比较器的正输入端和反输入端均与第一电容阵列MSBsarray连接，比较器的输出端与逻辑控制单元连接，通过比较器将残差电压进行采样和放大，再与最小分辨率LSB进行比较，在不增大电容阵列面积的情况下输出更高精度位； 所述第一电容阵列MSBsarray包括二进制分裂电容阵列、冗余电容阵列Crdt1和权重电容Cdmy1，桥接电容Ca的下极板与第一电容阵列MSBsarray的上极板连接，桥接电容Ca的上极板与第二电容阵列SSBsarray的上极板连接，所述二进制分裂电容阵列、冗余电容阵列Crdt1下极板连接参考电压Vref或地GND，权重电容Cdmy1下极板连接地GND； 所述第二电容阵列SSBsarray包括二进制电容阵列、冗余电容阵列Crdt2和权重电容Cdmy2，桥接电容Cb的下极板与第二电容阵列SSBsarray的上极板连接，桥接电容Cb的上极板与第三电容阵列LSBsarray的上极板连接，第二电容阵列SSBsarray的二进制电容阵列、冗余电容Crdt2下极板连接参考电压Vref或地GND，权重电容Cdmy2下极板连接地GND； 所述第三电容阵列LSBsarray包括二进制电容阵列、冗余电容阵列Crdt3和权重电容Cdmy3，第三电容阵列LSBsarray的二进制电容阵列、冗余电容阵列Crdt3下极板连接参考电压Vref或地GND，权重电容Cdmy3下极板连接地GND； 所述的比较器包括预放大器A1、预放大器A2、预放大器A3、锁存器L、耦合电容C1、耦合电容C2和耦合电容C3，所述预放大器A1输出端连接耦合电容C1的上极板，所述预放大器A2输入端连接耦合电容C1下极板，所述预放大器A2输出端连接耦合电容C2上极板，所述预放大器A3输入端连接耦合电容C2下极板，所述预放大器A3输出端连接耦合电容C3上极板，所述锁存器L输入端连接耦合电容C3下极板，所述锁存器L输出端连接逻辑控制单元；所述预放大器A1的输入端通过开关Sc0短接，预放大器A2的输入端通过开关Sc1短接，预放大器A3的输入端通过开关Sc2短接，锁存器L的输入端通过开关Sc3短接； 所述第一电容阵列MSBsarray中的二进制分裂电容阵列为[2M-2C2M-2C2M-3C2M-3C…CCC]，式中，C是单位电容，M是第一电容阵列MSBsarray在整个ADC转换过程中完成的开关切换次数； 所述第二电容阵列SSBsarray中的二进制电容阵列为[2N-1C2N-2C…2CC]，其中，C是单位电容，N是第二电容阵列SSBsarray在整个ADC转换过程中完成的开关切换次数； 所述第三电容阵列LSBsarray中的二进制电容阵列为[2L-1C2L-2C…2CC]，其中，C是单位电容，L是第三电容阵列LSBsarray在整个ADC转换过程中完成的开关切换次数。

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