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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司申请的专利薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132832B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210910862.2，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置是由黄中浩;邹志翔;吴旭;王小元;闵泰烨;王章涛设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本公开涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置；薄膜晶体管位于衬底基板的一侧，包括沟道部、第一电极和第二电极；沟道部设于衬底基板的一侧；第一电极包括第一面，第一面与沟道部接触，第一面包括第一边沿线；第二电极与第一电极分离设置，第二电极包括第二面，第二面与沟道部接触，第二面包括第二边沿线，第二边沿线位于第二面的靠近第一电极的一侧，第二边沿线在衬底基板上的正投影位于沟道部在衬底基板上的正投影内；第一边沿线位于第一面的靠近第二电极的一侧，施加于第二电极的电压高于施加于第一电极的电压，第二边沿线的长度大于第一边沿线的长度。该薄膜晶体管不容易损坏，显示装置能够显示正常。

本发明授权薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，位于衬底基板的一侧，其特征在于，所述薄膜晶体管包括： 沟道部，设于所述衬底基板的一侧； 第一电极，包括第一面，所述第一面与所述沟道部接触，所述第一面包括第一边沿线； 第二电极，与所述第一电极分离设置，所述第二电极包括第二面，所述第二面与所述沟道部接触，所述第二面包括第二边沿线，所述第二边沿线位于所述第二面的靠近所述第一电极的一侧，所述第二边沿线在所述衬底基板上的正投影位于所述沟道部在所述衬底基板上的正投影内； 其中，所述第一边沿线位于所述第一面的靠近所述第二电极的一侧，所述第二边沿线的长度大于所述第一边沿线的长度，以增加靠近所述第二电极的高阻区的面积、降低高阻区电场； 所述第一电极包括第一部分，所述第一部分位于所述沟道部背离所述衬底基板的一侧；所述第二电极包括第二部分，所述第二部分位于所述沟道部背离所述衬底基板的一侧；所述第一部分在所述衬底基板上的正投影的面积小于或等于所述第二部分在所述衬底基板上的正投影的面积。

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