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龙图腾网获悉材料科学姑苏实验室;东莞阿尔泰显示技术有限公司申请的专利InGaN基光电子器件的复合衬底及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101639B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210616335.0，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权InGaN基光电子器件的复合衬底及其制备方法和应用是由王新强;陈兆营;盛博文;刘上锋;李铎;刘放;梁文骥;赵春雷设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本InGaN基光电子器件的复合衬底及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种InGaN基光电子器件的复合衬底及其制备方法和应用。InGaN基光电子器件的复合衬底包括：晶体基底；AlN过渡层，位于晶体基底上，AlN过渡层由若干第一三维生长小岛组成；以及GaN过渡层，位于AlN过渡层上，GaN过渡层由若干第二三维生长小岛组成，且GaN过渡层中的若干第二三维生长小岛是AlN过渡层中的若干第一三维生长小岛的延续。上述InGaN基光电子器件的复合衬底中，AlN过渡层和GaN过渡层组成复合过渡层，可以调制氮化物异质外延薄膜中的应力状态，提高InGaN基光电子器件中InGaN材料外延过程中In原子的并入效率，从而提高InGaN薄膜和量子结构的外延晶体质量。此外，本发明还涉及上述InGaN基光电子器件的复合衬底的制备方法、InGaN基光电子器件的模板及其制备方法。

本发明授权InGaN基光电子器件的复合衬底及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种InGaN基光电子器件的模板，其特征在于，包括复合衬底和氮化物转换层，所述氮化物转换层位于所述复合衬底上； 其中，所述复合衬底包括： 晶体基底； AlN过渡层，位于所述晶体基底上，所述AlN过渡层由若干第一三维生长小岛组成；以及 GaN过渡层，位于所述AlN过渡层上，所述GaN过渡层由若干第二三维生长小岛组成，且所述GaN过渡层中的若干第二三维生长小岛是所述AlN过渡层中的若干第一三维生长小岛的延续； 其中，所述AlN过渡层和所述GaN过渡层组成复合过渡层，用于调制氮化物异质外延薄膜中的应力状态，从而提高InGaN基光电子器件中InGaN材料外延过程中In原子的并入效率； 其中，所述InGaN基光电子器件的模板采用如下制备方法制备得到： 采用物理气相沉积的方法在晶体基底上形成AlN过渡层，所述AlN过渡层由若干第一三维生长小岛组成； 在所述AlN过渡层上外延生长GaN过渡层，所述GaN过渡层由若干第二三维生长小岛组成，且所述GaN过渡层中的若干第二三维生长小岛是所述AlN过渡层中的若干第一三维生长小岛的延续，得到InGaN基光电子器件的复合衬底；所述GaN过渡层的生长温度为500℃~600℃，用于促进GaN过渡层中第二三维生长小岛和晶界的形成； 在所述InGaN基光电子器件的复合衬底上以二维外延模式外延生长氮化物转换层，使得GaN过渡层中的第二三维生长小岛的晶界合并，并在氮化物转换层中提供晶界合并诱导形成的张应力，用于提高InGaN基光电子器件中InGaN材料外延过程中In原子的并入效率；所述氮化物转换层的生长温度为600℃~1200℃；得到InGaN基光电子器件的模板。

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