中电科思仪科技股份有限公司王斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中电科思仪科技股份有限公司申请的专利一种金刚石基薄膜电路制作方法及其电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115087196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210779958.X，技术领域涉及：H05K1/03；该发明授权一种金刚石基薄膜电路制作方法及其电路是由王斌;孙吉胜;姜万顺;邓建钦;宋振国;付延新;桑锦正;孙建华;王沫设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金刚石基薄膜电路制作方法及其电路在说明书摘要公布了：本发明属于金刚石基薄膜电路技术领域，具体涉及一种金刚石基薄膜电路制作方法及其电路。该方法包括：选定底层硅材料；在底层硅材料的上方制作金刚石膜；对金刚石膜的上表面进行清洗；在金刚石膜的上表面镀膜，形成膜层，且膜层上表面为金层；在膜层的上表面涂覆光致抗蚀剂，并做前烘处理；采用紫外曝光机，利用相应的掩膜版对光致抗蚀剂进行处理，形成工艺窗口；在工艺窗口上电镀金，形成薄膜电路图形，并在薄膜电路图形上表面镀一层保护层；去除光致抗蚀剂；去除保护层；根据电路外形，进行开槽处理，形成外形加工槽；将硅腐蚀液注入外形加工槽，以去除底层硅材料；清洗得到金刚石基薄膜电路。以硅材料作为支撑体，避免加工过程中的碎片现象。
本发明授权一种金刚石基薄膜电路制作方法及其电路在权利要求书中公布了：1.一种金刚石基薄膜电路制作方法，其特征在于，包括步骤： 1选定底层硅材料； 2在底层硅材料的上方制作金刚石膜； 3对金刚石膜的上表面进行清洗； 4在金刚石膜的上表面镀膜，形成膜层，且膜层上表面为金层； 5在膜层的上表面涂覆光致抗蚀剂，并做前烘处理，具体包括：采用紫外曝光机，利用相应的掩膜版对所涂覆的光致抗蚀剂进行包括曝光、显影和坚膜处理，形成电镀金的工艺窗口； 6采用紫外曝光机，利用相应的掩膜版对光致抗蚀剂进行处理，形成工艺窗口； 7在工艺窗口上电镀金，形成薄膜电路图形，并在薄膜电路图形上表面镀一层保护层； 8去除光致抗蚀剂； 9去除未受保护层保护的膜层，然后去除保护层； 10根据电路外形，进行开槽处理，形成外形加工槽； 11将硅腐蚀液注入外形加工槽，以去除底层硅材料； 12清洗得到金刚石基薄膜电路。
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