华虹半导体(无锡)有限公司许昭昭获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利埋层引出结构制作方法和结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210541775.4，技术领域涉及：H10W15/00；该发明授权埋层引出结构制作方法和结构是由许昭昭设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本埋层引出结构制作方法和结构在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种埋层引出结构制作方法和结构。方法包括：在衬底中形成第一导电类型埋层；在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上，通过第一光罩，以第一能量进行第一导电类型杂质注入；在第一外延层上，通过第一光罩，以第二能量进行第一导电类型杂质注入，形成第一导电类型杂质注入区；第一能量高于第二能量；进行快速热退火过程；在第一外延层上形成第二外延层；进行热推阱工艺，形成位于第一外延层中的第一导电类型阱区A部和位于第二外延层中的第一导电类型阱区B部；在第二外延层上进行第一导电类型杂质注入形成第一导电类型引出区，第一导电类型引出区向下与第一导电类型阱区B部接触连接。
本发明授权埋层引出结构制作方法和结构在权利要求书中公布了：1.一种埋层引出结构制作方法，其特征在于，所述埋层引出结构制作方法包括依次进行以下步骤： 在衬底中形成第一导电类型埋层； 在所述衬底上形成第一外延层； 在所述第一外延层上，通过第一光罩，以第一能量进行第一导电类型杂质注入； 在所述第一外延层上，通过所述第一光罩，以第二能量进行第一导电类型杂质注入，形成第一导电类型杂质注入区；所述第一能量高于所述第二能量； 进行快速热退火过程，使得杂质注入后对第一外延层造成的损伤进行修复； 在所述第一外延层上形成第二外延层； 进行热推阱工艺，使得所述第一导电类型杂质注入区向周围扩散，形成位于所述第一外延层中的第一导电类型阱区A部和位于第二外延层中的第一导电类型阱区B部； 在所述第二外延层上进行第一导电类型杂质注入形成第一导电类型引出区，所述第一导电类型引出区向下与所述第一导电类型阱区B部接触连接。
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