联宝(合肥)电子科技有限公司邱永山获国家专利权
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龙图腾网获悉联宝(合肥)电子科技有限公司申请的专利按键组件、疏水膜片及疏水膜片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210876623.X，技术领域涉及：H01H13/06；该发明授权按键组件、疏水膜片及疏水膜片的制备方法是由邱永山;黄俊鸿设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本按键组件、疏水膜片及疏水膜片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种按键组件、疏水膜片及疏水膜片的制备方法，按键组件包括按键本体以及疏水膜片；所述按键本体至少包括主体部，所述主体部位于与触发区域对应的壳体的镂空部处，所述疏水膜片设置于所述主体部的外围，所述疏水膜片用于限制落于其上的液体流动。通过在按键的边缘处贴附束液体膜片，进而能够有效阻止落于按键上的液体流动，进而能够避免液体经过按键与壳体之间的间隙流入位于按键下方的电子装置上；相比于在间隙处设置防液体胶和点胶以避免液体流入电子装置上的方式，本发明所提供的按键本体可重复拆装而不会报废情况。
本发明授权按键组件、疏水膜片及疏水膜片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种疏水膜片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S10：提供硅晶圆基础层； S20：在硅晶圆基础层的上表面形成SiO2层； S30：在SiO层的上表面蚀刻出凹凸结构； S40：在SiO层的上表面形成Si层； S50：在Si层的上表面蚀刻出凹凸结构； S70：去除SiO层以使硅晶圆基础层与Si层分离，Si层的两个表面均形成凹凸结构,进而制备出疏水膜片； 步骤S30包括： S31：在SiO层的上表面涂布正光阻； S32：对正光阻进行间隔曝光以对正光阻去除材料而使正光阻形成齿槽结构； S33：移除已被曝光的齿槽结构中槽内的正光阻； S34：对与齿槽结构的正光阻的槽对应的SiO层的上表面进行干刻蚀； S35:利用去除液去除未被曝光的正光阻以使SiO层的上表面裸露出凹凸结构。
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