上海华力集成电路制造有限公司夏小峰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善MV器件的GIDL效应的结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210745998.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权改善MV器件的GIDL效应的结构和方法是由夏小峰;杨振兴;田志;王奇伟设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善MV器件的GIDL效应的结构和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善MV器件的GIDL效应的结构，MV器件包括：第一栅极结构，由第一栅介质层和第一栅极导电材料层叠加而成。在第一栅极导电材料层的侧面形成有第一层侧墙。在半导体衬底上形成有和第一层侧墙的外侧面自对准的源漏凹槽，第二层侧墙自对准形成于第一层侧墙的外侧面以及源漏凹槽的内侧面。源漏区形成于源漏凹槽底部表面暴露的半导体衬底中且和第二层侧墙的外侧面自对准。本发明还公开了一种改善MV器件的GIDL效应的方法。本发明能减少MV器件的GIDL漏电流。
本发明授权改善MV器件的GIDL效应的结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种改善MV器件的GIDL效应的结构，其特征在于，MV器件包括： 第一栅极结构，所述第一栅极结构由形成于半导体衬底表面的第一栅介质层和第一栅极导电材料层叠加而成； 在所述第一栅极导电材料层的侧面形成有第一层侧墙； 在所述MV器件的形成区域中，在所述半导体衬底上形成有源漏凹槽，所述源漏凹槽的内侧面和所述第一层侧墙的外侧面自对准，所述源漏凹槽是通过将所述源漏凹槽形成区域的所述第一栅介质层和所述半导体衬底去除形成的； 第二层侧墙自对准形成于所述第一层侧墙的外侧面以及所述源漏凹槽的内侧面； 源漏区形成于所述源漏凹槽底部表面暴露的所述半导体衬底中且所述源漏区和所述第二层侧墙的外侧面自对准； 所述源漏凹槽的深度用于设置所述源漏区和所述第一栅极导电材料层之间的间距，通过增加源漏凹槽的深度来增加所述源漏区和所述第一栅极导电材料层之间的间距并从而降低GIDL漏电。
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