长江存储科技有限责任公司尹朋岸获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及制作方法、存储器、存储器系统和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064518B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210561945.5，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权半导体结构及制作方法、存储器、存储器系统和电子设备是由尹朋岸;胡思平设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及制作方法、存储器、存储器系统和电子设备在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及制作方法、存储器、存储器系统和电子设备，半导体结构包括：第一半导体结构；第一互连结构，位于所述第一半导体结构之上，且与所述第一半导体结构耦接；其中，所述第一互连结构在水平面的投影呈第一多边形；第二互连结构，位于所述第一互连结构之上，且与所述第一互连结构接触；其中，所述第二互连结构在所述水平面的投影呈第二多边形；所述第二多边形与所述第一多边形的重叠面积包括10000平方纳米至20000平方纳米；第二半导体结构，位于所述第二互连结构之上，且与所述第二互连结构耦接。
本发明授权半导体结构及制作方法、存储器、存储器系统和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一半导体结构，包括外围电路或存储阵列； 第一互连结构，位于所述第一半导体结构之上，且与所述第一半导体结构耦接；其中，所述第一互连结构在水平面的投影呈第一多边形； 第二互连结构，位于所述第一互连结构之上，且与所述第一互连结构接触；其中，所述第二互连结构在所述水平面的投影呈第二多边形；所述第二多边形与所述第一多边形的重叠面积包括10000平方纳米至20000平方纳米； 第二半导体结构，包括外围电路或存储阵列中的另一个，位于所述第二互连结构之上，且与所述第二互连结构耦接； 所述半导体结构还包括：呈阵列排布的多个互连区域；其中，每个所述互连区域包括相互接触的所述第一互连结构和所述第二互连结构； 所述第一互连结构在所述互连区域的投影面积与所述互连区域的面积之比小于25%； 和或， 所述第二互连结构在所述互连区域的投影面积与所述互连区域的面积之比小于25%。
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