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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体处理腔、制造设备及清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110254744.6，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种半导体处理腔、制造设备及清洗方法是由李相龙;姜东勋;具德滋;金大镇;请求不公布姓名;周娜;请求不公布姓名;请求不公布姓名;李俊杰设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体处理腔、制造设备及清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体处理腔、制造设备及清洗方法，涉及半导体制造设备技术领域，以解决在器件进行干法刻蚀后，由于处理腔内存在副产物附着沉积带来的问题。所述半导体处理腔包括：盖体、惰性气体通道、外电极，以及位于外电极外周的保护环。其中，外电极在盖体上的投影位于盖体的非中心区域。惰性气体通道具有相连通的第一部分和第二部分。第一部分穿过盖体和外电极，用于将惰性气体从外电极背离盖体的一侧通入半导体处理腔内。第二部分穿过盖体和保护环，用于将惰性气体从保护环背离盖体的一侧和保护环的内侧面通入半导体处理腔内。所述半导体制造设备包括上述半导体处理腔。所述半导体处理腔清洗方法用于对上述半导体处理腔清洗。

本发明授权一种半导体处理腔、制造设备及清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理腔，其特征在于，包括：盖体、惰性气体通道、外电极以及位于所述外电极外周的保护环；其中，所述外电极在所述盖体上的投影位于所述盖体的非中心区域；所述半导体处理腔对应的内部结构为进行干法刻蚀后，附着有副产物的腔体结构；所述保护环靠近所述外电极的一侧具有凹槽；所述凹槽靠近所述盖体一侧与所述盖体的距离，大于或等于所述外电极背离所述盖体一侧与所述盖体的距离； 所述惰性气体通道具有相连通的第一部分和第二部分； 所述第一部分穿过所述盖体和所述外电极，用于将惰性气体从所述外电极背离所述盖体的一侧通入所述半导体处理腔内； 所述第二部分包括至少一个第一出气口；所述至少一个第一出气口位于所述凹槽的底部；所述第二部分穿过所述盖体和所述保护环，用于将所述惰性气体从所述保护环背离所述盖体的一侧和所述保护环的内侧面通入所述半导体处理腔内； 所述半导体处理腔还包括位于所述保护环背离所述盖体一侧的控制环，所述第二部分包括至少一个第二出气口；所述至少一个第二出气口位于所述保护环朝向所述控制环的表面。

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