美光科技公司A·法鲁辛获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115019845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210198079.8，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强是由A·法鲁辛;刘海涛;M·J·金设计研发完成，并于2022-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强在说明书摘要公布了：本申请涉及选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强。各种应用可包含存储器装置，其设计成在存储器擦除操作期间提供增强型栅极诱导漏极泄漏GIDL电流。在将电压施加到最顶部选择栅极晶体管的所述栅极后，可通过增强所述最顶部选择栅极晶体管的沟道结构中的电场将增强型操作提供到存储器单元串。可通过使用分割式插塞作为接触件将此电场提供到所述最顶部选择栅极晶体管的所述沟道结构，其中所述分割式插塞具有接触所述沟道结构的一或多个导电区和接触所述沟道结构的一或多个非导电区。所述分割式插塞可为数据线与所述沟道结构之间的接触件的部分。论述额外装置、系统和方法。
本发明授权选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器单元串； 数据线； 晶体管，其将所述数据线耦合到所述存储器单元串，所述晶体管具有沟道结构和栅极，所述沟道结构与所述栅极分离；以及 插塞，其将所述数据线耦合到所述沟道结构，其中所述插塞覆盖所述沟道结构，所述插塞具有接触所述沟道结构的一或多个导电区和接触所述沟道结构的一或多个非导电区，使得所述插塞为所述数据线与所述沟道结构之间的分割式接触件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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