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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置、存储器系统及半导体存储装置的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114974367B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110953546.9，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权半导体存储装置、存储器系统及半导体存储装置的控制方法是由片冈秀之设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置、存储器系统及半导体存储装置的控制方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够使动作高速化的半导体存储装置、存储器系统及半导体存储装置的控制方法。实施方式的半导体存储装置包括：第1选择晶体管；第1选择栅极线，连接在第1选择晶体管的栅极；第1配线，连接在第1选择晶体管；第2选择晶体管；第2选择栅极线，连接在第2选择晶体管的栅极；第2配线，连接在第2选择晶体管；第1及第2存储单元晶体管，连接在第1选择晶体管与第2选择晶体管之间；第1字线，连接在第1存储单元晶体管；以及第2字线，连接在第2存储单元晶体管。对该半导体存储装置的数据写入动作具有编程动作及验证动作，在对第1存储单元晶体管的写入动作中，在执行验证动作后，第2选择晶体管处于导通状态的期间，第1字线的电压从第1电压变化为第2电压，第2字线的电压从验证动作中施加的第3电压变化为第4电压，在第1字线的电压变化为第2电压且第2字线的电压变化为第4电压后，第2选择栅极线的电压从第5电压变化为使第2选择晶体管为断开状态的第6电压。

本发明授权半导体存储装置、存储器系统及半导体存储装置的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于包括： 第1选择晶体管； 第1选择栅极线，连接在所述第1选择晶体管的栅极； 第1配线，连接在所述第1选择晶体管； 第2选择晶体管； 第2选择栅极线，连接在所述第2选择晶体管的栅极； 第2配线，连接在所述第2选择晶体管； 第1及第2存储单元晶体管，连接在所述第1选择晶体管与所述第2选择晶体管之间； 第1字线，连接在所述第1存储单元晶体管；以及 第2字线，连接在所述第2存储单元晶体管；且 在对所述第2存储单元晶体管的写入动作中，执行验证动作后，所述第2选择晶体管处于导通状态的第1期间，所述第1字线的电压从第1电压变化为低于所述第1电压的第2电压，所述第2字线的电压从所述验证动作中施加的第3电压变化为低于所述第3电压的第4电压， 在所述第1字线的电压变化为所述第2电压且所述第2字线的电压变化为所述第4电压后，所述第2选择栅极线的电压从第5电压变化为使所述第2选择晶体管为断开状态的第6电压，且 在所述第1期间，所述第2字线的电压是在从所述第3电压变化为高于所述第3电压的第7电压后，变化为所述第4电压。

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