武汉华星光电技术有限公司艾飞获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210402998.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板是由艾飞;罗成志设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板。所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成低温多晶硅层，低温多晶硅层具有源极接触部和漏极接触部；在含磷气体的气氛中，在低温多晶硅层上形成磷离子重掺杂的非晶硅层；对磷离子重掺杂的非晶硅层进行图案化处理，以形成第一欧姆接触部和第二欧姆接触部，第一欧姆接触部与源极接触部连接，第二欧姆接触部与漏极接触部连接；在第一欧姆接触部上形成源极，并在第二欧姆接触部上形成漏极。本申请降低了阵列基板中因磷离子重掺杂而带来的高制程温度，提高了低阻抗金属在阵列基板中的适用性，进而提升了显示产品的性能。
本发明授权阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供基底； 在所述基底上形成低温多晶硅层，所述低温多晶硅层具有源极接触部和漏极接触部； 对所述源极接触部和所述漏极接触部进行磷离子轻掺杂； 在含磷气体的气氛中，在磷离子轻掺杂后的所述源极接触部和所述漏极接触部上形成磷离子重掺杂的非晶硅层； 对所述磷离子重掺杂的非晶硅层进行图案化处理，以形成第一欧姆接触部和第二欧姆接触部，所述第一欧姆接触部与磷离子轻掺杂后的所述源极接触部连接，所述第二欧姆接触部与磷离子轻掺杂后的所述漏极接触部连接；以及 在所述第一欧姆接触部上形成源极，并在所述第二欧姆接触部上形成漏极。
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