美光科技公司金炳鈗获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于存储器阵列内的绞合导电线的接触件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111498715.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权用于存储器阵列内的绞合导电线的接触件是由金炳鈗;黄祥珉;李奎锡设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器阵列内的绞合导电线的接触件在说明书摘要公布了：本申请涉及用于存储器阵列内的绞合导电线的接触件。本文中描述用于形成绞合导电线的装置、系统和方法。一种方法包括：形成第一数目个竖直导电线接触件的第一行和第二行，每一行中的所述竖直接触件在第一水平方向上排列，且所述第一行在第二水平方向上与所述第二行间隔开；形成具有弯曲部分的数个导电线，每一导电线与所述第一数目个竖直导电线接触件的所述第一行和所述第二行的交替导电线接触件接触；以及形成具有一或多个弯曲部分的第二数目个导电线，每一导电线与所述第一数目个竖直导电线接触件的所述第一行和所述第二行的所述导电线接触件中的未由所述第一数目个导电线接触的其余导电线接触件接触。
本发明授权用于存储器阵列内的绞合导电线的接触件在权利要求书中公布了：1.一种用于在竖直堆叠存储器单元阵列内形成导电线的方法，其包含： 形成第一数目个竖直导电线接触件的第一行和第二行，其中每一行中的所述竖直接触件在第一水平方向上排列，且所述第一行在第二水平方向上与所述第二行间隔开； 形成具有在同一层级的一或多个弯曲部分的第一数目个导电线，每一导电线与所述第一数目个竖直导电线接触件的所述第一行和所述第二行的所述导电线接触件中的交替导电线接触件依序接触；以及 形成具有在同一层级的一或多个弯曲部分的第二数目个导电线，每一导电线与所述第一数目个竖直导电线接触件的所述第一行和所述第二行的所述导电线接触件中的未由所述第一数目个导电线接触的其余导电线接触件接触。
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