意法半导体股份有限公司D·帕西获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利由电连接和电隔离的裸片形成的封装电子系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114823637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210092662.0,技术领域涉及:H10W44/00;该发明授权由电连接和电隔离的裸片形成的封装电子系统是由D·帕西;S·阿多尔诺;M·德尔萨尔托;F·塞利尼;A·格里蒂设计研发完成,并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本由电连接和电隔离的裸片形成的封装电子系统在说明书摘要公布了:本公开的实施例涉及由电连接和电隔离的裸片形成的封装电子系统。一种封装电子系统,其具有由绝缘有机衬底形成的支撑,所述绝缘有机衬底容纳浮置的掩埋导电区域。第一裸片固定在支撑件上,并在第一主表面上承载电容耦合到掩埋导电区域的第一部分的第一裸片接触区域。第二裸片固定在支撑件上,并在第一主表面上承载电容耦合到掩埋导电区域的第二部分的第二裸片接触区域。封装质量块包围第一裸片、第二裸片、第一裸片接触区域、第二裸片接触区域和至少部分支撑。
本发明授权由电连接和电隔离的裸片形成的封装电子系统在权利要求书中公布了:1.一种电子装置,包括: 支撑件,包括绝缘基板,所述绝缘基板具有: 第一面和与所述第一面相对的第二面; 第一绝缘层,包括所述第二面; 第二绝缘层,位于所述第一绝缘层上; 第三绝缘层,位于所述第二绝缘层上并且包括所述第一面; 掩埋导电区域,所述掩埋导电区域位于所述第二绝缘层内,并且包括第一盘状部分和第二盘状部分,所述第一盘状部分和第二盘状部分彼此间隔开并且通过从所述第一盘状部分延伸至所述第二盘状部分的导线耦合在一起; 第三盘状部分和第四盘状部分,位于所述第三绝缘层中并且位于所述第二绝缘层上,所述第三盘状部分和所述第四盘状部分导电,所述第三盘状部分与所述第一盘状部分重叠,所述第四盘状部分与所述第二盘状部分重叠,所述第三盘状部分电容耦合至所述第一盘状部分而不与所述第一盘状部分物理接触,并且所述第四盘状部分电容耦合至所述第二盘状部分而不与所述第二盘状部分物理接触; 第一导电通孔,延伸至所述第三绝缘层中的所述第三盘状部分;和 第二导电通孔,延伸至所述第三绝缘层中的所述第四盘状部分; 第一裸片,固定到所述支撑件的所述第一面,所述第一裸片的第一表面具有第一裸片接触区域; 第一接触区域,设置在所述支撑件的所述第一面上,并且耦合到所述第一导电通孔; 第一凸块区域,将所述第一接触区域耦合到所述第一裸片接触区域; 第二裸片,固定至所述支撑件的所述第一面,所述第二裸片的第一表面具有第二裸片接触区域; 第二接触区域,设置在所述支撑件的所述第一面上,并且耦合到所述第二导电通孔; 第二凸块区域,将所述第二接触区域耦合到所述第二裸片接触区域; 第一外部连接区域和第二外部连接区域,在第一方向上彼此间隔一定距离,所述掩埋导电区域位于所述第一外部连接区域和所述第二外部连接区域之间;和 绝缘材料,包封所述第一裸片、所述第二裸片、所述第一裸片接触区域、所述第二裸片接触区域、所述第一凸块区域、所述第二凸块区域、所述第一接触区域和所述第二接触区域,并且至少部分包封所述支撑件。
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