南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司潘拴获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210337909.0，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法是由潘拴;陈芝向;张建立;郑畅达;王小兰;高江东;李丹;杨小霞设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法，该生长方法是在Si衬底上生长GaN薄膜时避免了AlN或AlNAlGaN缓冲层的生长，通过对Si衬底预处理，形成隔离Si与Ga的界面，避免Ga与Si反应产生回熔；通过调整GaN应力调控层与GaN层的生长温度，调节材料生长过程产生的应力，从而形成连续完整的单晶GaN薄膜。该方法避免了AlN或AlNAlGaN缓冲层的生长，从而有效地减少AlN在反应室中石墨和喷头等位置的沉积，降低外延生长的成本，减少因为沉积物导致的不稳定性和沉积物处理引起的不确定性和成本增加，有效地降低外延生长的成本和沉积物处理的频率，提高外延生长的稳定性、可靠性和产品良率，在所述GaN薄膜上可生长其他结构或功能层，应用于功率电子器件、照明等领域。
本发明授权一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法，特征在于：具体步骤如下： 1将Si衬底置于反应室中，并对所述Si衬底预处理，形成隔离Si与Ga的界面；其中，所述形成隔离Si与Ga的界面通过以下任一方式实现： a向反应室内通入氨气，对所述Si衬底进行氨化处理；或 b在不通入氨气的情况下向反应室通入Al源，预沉积1至数个原子层；或 c在不通入氨气的情况下向反应室通入In源，预沉积1至数个原子层； 2在所述界面上，于第一生长温度下生长GaN应力调控层； 3在所述GaN应力调控层上，于高于第一生长温度的第二生长温度下生长GaN薄膜层。
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