联华电子股份有限公司杨柏宇获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110031069.0，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置是由杨柏宇;洪彧彣设计研发完成，并于2021-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置，其包括基底与设置于基底上的第一晶体管。第一晶体管包括多个第一半导体片以及两个第一源极漏极结构。多个第一半导体片于垂直方向上堆叠设置且彼此互相分离。各第一半导体片包括两个第一掺杂层以及一第二掺杂层于垂直方向上设置于两个第一掺杂层之间。第二掺杂层的导电型态与各第一掺杂层的导电型态互补。两个第一源极漏极结构分别设置于各第一半导体片于水平方向上的两相对侧，且两个第一源极漏极结构与多个第一半导体片相连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 基底；以及 第一晶体管，设置于该基底上，该第一晶体管包括： 多个第一半导体片，在垂直方向上堆叠设置且彼此互相分离，其中各该第一半导体片包括： 两个第一掺杂层；以及 第二掺杂层，在该垂直方向上设置于该两个第一掺杂层之间，其中该第二掺杂层的导电型态与各该第一掺杂层的导电型态互补；以及 两个第一源极漏极结构分别设置于各该第一半导体片在水平方向上的两相对侧，其中该两个第一源极漏极结构与该多个第一半导体片相连接， 其中各该第一半导体片中的该第二掺杂层与该两个第一掺杂层直接连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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