格芯(美国)集成电路科技有限公司马乐言获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利横向双极结型晶体管器件以及制造这种器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111560389.1，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权横向双极结型晶体管器件以及制造这种器件的方法是由马乐言;亚历克斯·德里克森;阿里·拉扎维;王海艇设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向双极结型晶体管器件以及制造这种器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种横向双极结型晶体管器件以及制造这种器件的方法。一种非均匀基底宽度双极型晶体管BJT器件包括：半导体衬底，该半导体衬底具有上表面；以及BJT器件，该BJT器件包括位于半导体衬底中的集电极区、基极区和发射极区，基极区位于集电极区与发射极区之间；基极区包括顶表面和底表面，其中基极区的顶表面在BJT器件的基底宽度方向上的第一宽度大于基极区的底表面在BJT器件的基底宽度方向上的第二宽度。
本发明授权横向双极结型晶体管器件以及制造这种器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底具有上表面；以及 双极结型晶体管BJT器件，所述BJT器件包括位于所述半导体衬底中的集电极区、基极区和发射极区，所述基极区位于所述集电极区与所述发射极区之间； 所述基极区包括顶表面和底表面，其中所述基极区的所述顶表面在所述BJT器件的基底宽度方向上的第一宽度大于所述基极区的所述底表面在所述BJT器件的所述基底宽度方向上的第二宽度， 其中，所述集电极区包括形成在第一腔内的外延半导体材料，所述发射极区包括形成在第二腔内的外延半导体材料，其中所述第一腔的一部分和所述第二腔的一部分在所述基极区中的部分下方延伸。
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