南亚科技股份有限公司丘世仰获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110973930.5，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体元件及其制备方法是由丘世仰设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有P‑N接面绝缘结构的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一第一井层，位在该基底中并具有一第一电类型；一下导电层，位在该第一井层中并具有一第二电类型，该第二电类型与该第一电类型相反；一第一隔离层，位在该下导电层上；一绝缘遮罩层，位在该基底上并包围该第一隔离层；一第一导电线，位在该第一隔离层上；以及一偏置层，位在该第一井层中并与该下导电层间隔设置。该下导电层、该第一隔离层以及该第一导电线一起配置成一可编程单元。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 一第一井层，位在该基底中并具有一第一电类型； 一下导电层，位在该第一井层中并具有一第二电类型，该第二电类型与该第一电类型相反； 一第一隔离层，位在该下导电层上； 一绝缘遮罩层，位在该基底上并包围该第一隔离层； 一第一导电线，位在该第一隔离层上； 一第二导电线，位在该下导电层上并电性耦接到该下导电层；以及 一偏置层，位在该第一井层中并与该下导电层间隔设置； 其中该下导电层、该第一隔离层以及该第一导电线一起配置成一可编程单元。
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