应用材料公司杨逸雄获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利PMOS高K金属栅极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114616680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080076754.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权PMOS高K金属栅极是由杨逸雄;杰奎琳·S·阮奇;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;林永景;史蒂文·C.H·洪;陈世忠;沙浩燕;林志周设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本PMOS高K金属栅极在说明书摘要公布了：公开金属栅极堆叠结构和形成金属栅极堆叠结构的整合的方法。一些实施方式包含MoN作为PMOS功函数材料。一些实施方式包含TiSiN作为高κ覆盖层。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能伴随减小的EOT减损。
本发明授权PMOS高K金属栅极在权利要求书中公布了：1.一种金属栅极堆叠结构，包含： 高κ覆盖层，所述高κ覆盖层在高κ金属氧化物层上，所述高κ覆盖层包含氮化钛硅TiSiN并且具有在约至约的范围内的厚度；和 PMOS功函数材料，所述PMOS功函数材料在所述高κ覆盖层上，所述PMOS功函数材料包含氮化钼MoN并且具有在约至约的范围内的厚度， 其中所述金属栅极堆叠结构具有相对于包含含有氮化钛TiN的PMOS功函数材料的金属栅极堆叠结构增进了大于或等于约+125mV的Vfb，并且 其中所述金属栅极堆叠结构相对于包含含有氮化钛TiN的高κ覆盖层和含有氮化钼MoN的PMOS功函数材料的金属栅极堆叠结构而言具有减小的等效氧化物厚度EOT增加量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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