南亚科技股份有限公司黄则尧获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有去耦合单元的半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111031795.9，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权具有去耦合单元的半导体元件及其制备方法是由黄则尧;施信益设计研发完成，并于2021-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有去耦合单元的半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有一去耦合单元的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底，包括一阵列区以及一周围区，该周围区邻近该阵列区设置；一第一去耦合单元，位于该基底的该周围区中；一存储单元，位于该基底的该阵列区中；一重分布结构，位于该基底的该周围区与该阵列区上；一中间隔离层，位于在该周围区中的该重分布结构上；以及一上导电层，位于该中间隔离层上。在该周围区上的该重分布结构、该中间隔离层以及该上导电层一起配置成一第二去耦合单元。
本发明授权具有去耦合单元的半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底，包括一阵列区以及一周围区，该周围区邻近该阵列区设置； 一第一去耦合单元，位于该基底的该周围区中； 一存储单元，位于该基底的该阵列区中； 一重分布结构，位于该基底的该周围区与该阵列区上； 一中间隔离层，位于在该周围区上的该重分布结构上；以及 一上导电层，位于该中间隔离层上； 其中，在该周围区上的该重分布结构、该中间隔离层以及该上导电层一起配置成一第二去耦合单元。
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