英尼维顺股份有限公司李成汉获国家专利权
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龙图腾网获悉英尼维顺股份有限公司申请的专利开关电容电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556785B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080068930.4，技术领域涉及：H03K17/16；该发明授权开关电容电路是由李成汉设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本开关电容电路在说明书摘要公布了：本发明涉及开关电容电路，其包括基于金属氧化物半导体场效应晶体管的开关，所述开关包括：第一金属氧化物半导体场效应晶体管1，其具有栅极、源极和漏极，其中所述源极连接到第一节点T1且所述漏极连接到第二节点T2，或者所述漏极连接到第一节点T1且所述源极连接第二节点T2；第二金属氧化物半导体场效应晶体管2，其具有栅极、源极和漏极，其中所述源极连接到所述漏极，并且源极和漏极一起连接到第二节点T2；第一电容器C1，其连接在第一节点T1和第三节点T3之间；以及第二电容器C2，其连接在第二节点T2和第三节点T3之间。
本发明授权开关电容电路在权利要求书中公布了：1.一种用于增量调制器的电容反馈放大器电路，其特征在于：包括开关电容电路，所述开关电容电路包括基于金属氧化物半导体场效应晶体管的开关； 所述基于金属氧化物半导体场效应晶体管的开关包括： 第一金属氧化物半导体场效应晶体管1，其具有栅极、源极和漏极，其中所述源极连接到第一节点T1且所述漏极连接到第二节点T2，或者所述漏极连接到第一节点T1且所述源极连接第二节点T2， 第二金属氧化物半导体场效应晶体管2，其具有栅极、源极和漏极，其中所述源极连接到所述漏极，并且源极和漏极一起连接到第二节点T2， 第一电容器C1，其连接在第一节点T1和第三节点T3之间，以及 第二电容器C2，其连接在第二节点T2和第三节点T3之间； 并且，所述电容反馈放大器电路还包括： 连接到第三节点T3的输入缓冲器Bi，以及 并联在第一节点T1和第二节点T2之间的放大器A和第三电容器C3； 并且，所述第二节点T2连接到所述放大器A的输入，所述第一节点T1配置为所述电容反馈放大器电路的输出。
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