买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利TFT基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210064257.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权TFT基板及其制作方法是由史文设计研发完成，并于2022-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本TFT基板及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种TFT基板及其制作方法。本申请实施例提供的TFT基板，通过设置功能层包括栅极、第一遮光区、第二遮光区、源极接触区以及漏极接触区，并设置源极通过栅极绝缘层上的源极接触孔与源极接触区电性连接，漏极通过栅极绝缘层上的漏极接触孔与漏极接触区电性连接，使得有源层的侧面被源极和漏极遮挡，有源层的背面被功能层遮挡，也即是说，对有源层的侧面和背面进行全方位的遮光保护，避免光线从侧面和背面照射至有源层导致有源层中产生光生载流子，提升了TFT器件的光照稳定性。

本发明授权TFT基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种TFT基板，其特征在于，包括： 衬底； 功能层，设于所述衬底的一侧，所述功能层包括栅极、第一遮光区、第二遮光区、源极接触区以及漏极接触区，其中，所述第一遮光区和所述第二遮光区分别位于所述栅极的两侧，所述源极接触区设于所述第一遮光区远离所述栅极的一侧，所述漏极接触区设于所述第二遮光区远离所述栅极的一侧，所述栅极、所述源极接触区以及所述漏极接触区均为导电材料，所述第一遮光区和所述第二遮光区均为绝缘材料； 栅极绝缘层，设于所述功能层远离所述衬底的一侧，所述栅极绝缘层上设有源极接触孔与漏极接触孔； 有源层，设于所述栅极绝缘层远离所述功能层的一侧； 源漏极层，设于所述有源层远离所述栅极绝缘层的一侧，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极通过所述源极接触孔与所述源极接触区电性连接，所述漏极通过所述漏极接触孔与所述漏极接触区电性连接，所述源极的一部分覆盖所述有源层的一侧的侧壁，所述漏极的一部分覆盖所述有源层的另一侧的侧壁； 所述栅极的材料、所述源极接触区的材料以及所述漏极接触区的材料均为金属，所述第一遮光区的材料和所述第二遮光区的材料均为金属氧化物。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。