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龙图腾网获悉成都海光集成电路设计有限公司申请的专利一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114357927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111675386.2，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质是由何妍;晋大师;王毓千设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请的实施例公开了一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质，涉及芯片设计技术领域，为便于提高芯片的设计效率而发明。所述方法，包括：确定裂片的第一尺寸的第一变化范围和第一变化步长，并确定裂片的第二尺寸的第二变化范围及第二变化步长；其中，第一尺寸为宽度，第二尺寸为高度；根据工艺参数和晶圆尺寸，确定第一尺寸在第一变化范围内、以第一变化步长变化得到的每个数值下，第二尺寸在第二变化范围内、以第二变化步长变化得到的各个数值对应的晶圆内布置的裂片数量；根据第一尺寸的每个数值、第二尺寸的各个数值与裂片数量的对应关系，对裂片在晶圆上的布局提供参考。本申请适用于对芯片设计提供参考。

本发明授权一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片设计方法，其特征在于，包括： 确定晶圆切片的工艺参数和晶圆的尺寸； 确定裂片的第一尺寸的第一变化范围和第一变化步长，并且确定所述裂片的第二尺寸的第二变化范围及第二变化步长；其中，所述第一尺寸为宽度，第二尺寸为高度；或，所述第一尺寸为高度，所述第二尺寸为宽度； 根据所述工艺参数和所述晶圆尺寸，确定所述第一尺寸在所述第一变化范围内、以所述第一变化步长变化得到的每个数值下，所述第二尺寸在所述第二变化范围内、以所述第二变化步长变化得到的各个数值对应的所述晶圆内布置的裂片数量； 根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，对所述裂片在所述晶圆上的布局提供参考； 其中，所述根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，对所述裂片在所述晶圆上的布局提供参考，包括： 根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值，以使所述裂片的面积在所述预设数量下处于极大值；或， 根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述第一尺寸的第一预定数值的第一可选范围和所述第二尺寸的第二预定数值的第二可选范围；根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定在所述第一可选范围和所述第二可选范围内，所述裂片数量的最大值及对应的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值。

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