上海松山电子有限公司陈明勤获国家专利权
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龙图腾网获悉上海松山电子有限公司申请的专利一种中空的贴片熔断器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111457530.5，技术领域涉及：H01H85/143；该发明授权一种中空的贴片熔断器及其制造方法是由陈明勤;舒虎萌设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中空的贴片熔断器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种中空的贴片熔断器及其制造方法，所述贴片熔断器包括上腔板、熔丝和下腔板，上腔板和下腔板两端上下表面设有蚀刻电极，上腔板和下腔板相对面均设有胶层；上腔板上设有上空腔，上腔板两端设有上半圆缺口，下腔板两端设有下半圆缺口，上半圆缺口半径大于下半圆缺口，形成一内凹平台；上腔板侧壁的厚度均小于下腔板侧壁厚度，且上腔板和下腔板居中热压贴合，并形成一L形托胶平台；熔丝放置于上腔板和下腔板之间；熔断器两端镀有导电材料层。其制造方法易于操作。本发明大幅增加镀层与熔丝的接触面积，连接可靠。改善胶层被挤到熔丝上的情况，也增加上下腔板的结合力。
本发明授权一种中空的贴片熔断器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种中空的贴片熔断器，其特征在于：包括上腔板、熔丝和下腔板，所述上腔板和下腔板两端上下表面设有蚀刻电极，上腔板和下腔板相对面均设有胶层； 所述上腔板上设有上空腔，上腔板两端设有上半圆缺口，下腔板上设有下空腔，下腔板两端设有下半圆缺口，上半圆缺口半径大于下半圆缺口，形成一内凹平台； 所述上腔板侧壁的厚度均小于下腔板侧壁厚度，且上腔板和下腔板居中热压贴合，使上腔板侧壁底端内外侧与下腔板侧壁上端面之间形成一L形托胶平台； 所述熔丝放置于上腔板和下腔板之间，并位于上腔板和下腔板压合后的中轴线上； 所述熔断器两端镀有导电材料层，导通蚀刻电极和熔丝。
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