华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司汪健获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一体化刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111525665.0，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一体化刻蚀方法是由汪健;孟艳秋;陈跃华设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一体化刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一体化刻蚀方法，其包括以下步骤：在硬掩模NDC层上淀积LK薄膜；在LK薄膜上淀积TEOS薄膜；在TEOS薄膜上依次形成阻挡层、介质层、底部抗反射涂层、光刻胶层；做金属硬掩模刻蚀；做通孔的光刻，定义通孔图形；在光刻胶层上形成一个通孔；去除部分底部抗反射涂层；刻蚀介质层和阻挡层，后续会用于填充铜材质；用含有碳氟化合物的气体保护露出的阻挡层。本发明用含有碳氟化合物的气体保护露出的阻挡层，大幅减少阻挡层露出的面积，在后续刻蚀时，减少TixFy残留物的产生，从而根本上解决通孔开口的问题。
本发明授权一体化刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种一体化刻蚀方法，其特征在于，其包括以下步骤： 步骤一，在硬掩模NDC层上淀积低介电常数薄膜； 步骤二，在低介电常数薄膜上淀积TEOS薄膜； 步骤三，在TEOS薄膜上依次形成阻挡层、介质层、底部抗反射涂层、光刻胶层； 步骤四，做金属硬掩模刻蚀； 步骤五，做通孔的光刻，定义通孔图形； 步骤六，在光刻胶层上形成一个通孔； 步骤七，去除部分底部抗反射涂层； 步骤八，刻蚀介质层和阻挡层； 步骤九，用含有碳氟化合物的气体保护露出的阻挡层； 步骤十，刻蚀TEOS薄膜，显露出低介电常数薄膜； 步骤十一，刻蚀部分低介电常数薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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