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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111535102.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由黄伟兴;朱慧珑设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上依次形成第一电极层、半导体层和第二电极层，而后从半导体层的侧壁刻蚀部分半导体层，形成开口，之后在开口、第一电极层的侧壁和第二电极层的侧壁上形成沟道层，其中，沟道层包括位于开口内的第一沟道部分和除开口内的第二沟道部分，在第一沟道部分填充伪栅极层，之后以第二沟道部分为掩蔽，从伪栅极层的侧壁刻蚀部分伪栅极层，而后去除第二沟道部分和与伪栅极层上下表面接触的第一沟道部分，形成由第一电极层或第二电极层、沟道层和伪栅极层形成的凹陷，在凹陷内填充介质材料，形成隔离侧墙，形成的隔离侧墙能够降低半导体器件的寄生电容，优化半导体器件的性能。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底的一侧上依次形成第一电极层、至少包括锗的半导体层和第二电极层；所述第一电极层为源极层或漏极层中的一种，所述第二电极层为源极层或漏极层中的另一种； 从所述半导体层的侧壁刻蚀部分所述半导体层，以形成开口，所述开口包括弧形，所述弧形的缺口朝向外侧； 在所述开口、所述第一电极层的侧壁和所述第二电极层的侧壁上形成沟道层，其中，沟道层包括位于所述开口内的第一沟道部分和除所述开口内的第二沟道部分，所述第一沟道部分与所述开口共形； 在所述第一沟道部分填充伪栅极层，所述伪栅极层的侧壁与所述第二沟道部分的侧壁齐平； 从所述伪栅极层的侧壁刻蚀部分所述伪栅极层，以使刻蚀后的伪栅极层的侧壁与所述第一电极层的侧壁齐平； 去除所述第二沟道部分和与所述伪栅极层上下表面接触的第一沟道部分，形成由所述第一电极层或所述第二电极层、所述沟道层和所述伪栅极层形成的凹陷； 在所述凹陷内填充介质材料，形成隔离侧墙； 所述开口包括第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述第二开口外侧，所述沟道层包括第一子沟道层和第二子沟道层，所述第一子沟道层位于所述第二子沟道层的外侧； 所述从所述半导体层的侧壁刻蚀部分所述半导体层，以形成开口，所述开口包括弧形，所述弧形的缺口朝向外侧包括： 从所述半导体层的外侧侧壁利用原子层蚀刻刻蚀部分所述半导体层，形成包括弧形的第一开口，所述第一开口包括的弧形的缺口朝向外侧； 所述在所述开口、所述第一电极层的侧壁和所述第二电极层的侧壁上形成沟道层包括： 在所述第一开口、所述第一电极层的外侧侧壁和所述第二电极层的外侧侧壁上外延生长第一子沟道层； 所述从所述半导体层的侧壁刻蚀部分所述半导体层，以形成开口，所述开口包括弧形，所述弧形的缺口朝向外侧包括： 从所述半导体层的内侧侧壁利用原子层蚀刻刻蚀剩余的所述半导体层，形成包括弧形的第二开口，所述第二开口包括的弧形与所述第一开口包括的弧形共形； 所述在所述开口、所述第一电极层的侧壁和所述第二电极层的侧壁上形成沟道层包括： 在所述第二开口、所述第一电极层的内侧侧壁和所述第二电极层的内侧侧壁上外延生长第二子沟道层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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