上海华力集成电路制造有限公司周晓君获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种双端口SRAM存储单元及其版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114255803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010992678.8，技术领域涉及：G11C11/417；该发明授权一种双端口SRAM存储单元及其版图结构是由周晓君设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双端口SRAM存储单元及其版图结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种双端口SRAM存储单元及其版图结构，第一、第二NMOS和第一、第二PMOS；第一、第二NMOS栅极与第一、第二PMOS漏极连接字线；第一NMOS源极连接第一位线；第一PMOS源极连接第二位线；第二NMOS源极连接第三位线；第二PMOS源极连接第四位线；第一NMOS漏极、第一PMOS栅极共同连接至一锁存器的输入节点；第二NMOS漏极、第二PMOS栅极连接至锁存器的输出节点。本发明在不改变传统SRAM单元长宽尺寸的情况下，通过八颗晶体管的再排布，显著改善双端口SRAM存储单元的对称性，有效提高读写速度以及读干扰窗口。
本发明授权一种双端口SRAM存储单元及其版图结构在权利要求书中公布了：1.一种双端口SRAM存储单元，其特征在于，至少包括： 第一、第二NMOS和第一、第二PMOS；所述第一、第二NMOS的栅极与所述第一、第二PMOS的漏极共同连接字线；所述第一NMOS的源极连接第一位线；所述第一PMOS的源极连接第二位线；所述第二NMOS的源极连接第三位线；所述第二PMOS的源极连接第四位线； 设有输入节点Q和输出节点Qb的锁存器；所述第一NMOS的漏极、第一PMOS的栅极共同连接至所述锁存器的输入节点Q；所述第二NMOS的漏极、第二PMOS的栅极共同连接至所述锁存器的输出节点Qb。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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