南亚科技股份有限公司苏国辉获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110799923.8，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权半导体元件及其制备方法是由苏国辉设计研发完成，并于2021-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有倾斜导电层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，设置在该基底上的一第一绝缘层，设置在该第一绝缘层中的一第一倾斜导电层，以及设置以覆盖该第一倾斜导电层的一顶部导电层。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 一第一绝缘层，设置在该基底上； 一第一倾斜凹槽，设置在该第一绝缘层中； 一第一倾斜导电层，设置在该第一倾斜凹槽中，该第一倾斜导电层具有形成于该第一倾斜导电层的一底面与该第一倾斜导电层的一侧壁之间的一第一锐角； 一第二倾斜凹槽，设置在该第一绝缘层中； 一第二倾斜导电层，设置在该第二倾斜凹槽中，该第二倾斜导电层具有形成于该第二倾斜导电层的一底面与该第二倾斜导电层的一侧壁之间的一第二锐角，其中该第一倾斜导电层沿一第一方向延伸，该第二倾斜导电层沿一第二方向延伸，并且该第二方向与该第一方向相反；以及 一顶部导电层，设置以覆盖该第一倾斜导电层和该第二倾斜导电层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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