东京毅力科创株式会社瑞安·布恩斯获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利半导体器件的平坦化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114127895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080042922.2，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权半导体器件的平坦化是由瑞安·布恩斯;马克·萨默维尔;科里·莱姆利设计研发完成，并于2020-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的平坦化在说明书摘要公布了：在某些实施例中，一种用于处理衬底的方法包括：将表面处理施加到衬底的选定表面。衬底具有不平坦形貌，该不平坦形貌包括限定凹部的结构。该方法进一步包括：通过旋涂沉积将填充材料沉积在衬底上。表面处理将填充材料引导到凹部和引导远离选定表面，以用填充材料来填充凹部而不附着到选定表面。该方法进一步包括：从衬底的选定表面移除表面处理并通过旋涂沉积将平坦化膜沉积在衬底上。平坦化膜沉积在顶表面以及填充材料的顶表面上。
本发明授权半导体器件的平坦化在权利要求书中公布了：1.一种用于处理衬底的方法，该方法包括： 接收具有不平坦形貌的衬底，该不平坦形貌包括限定凹部的结构； 将硬掩模沉积在所述衬底上； 对所述硬掩模进行蚀刻以移除在这些结构的顶表面之上的所述硬掩模以及从这些凹部的一部分移除所述硬掩模，所述硬掩模的一部分留在这些凹部中； 将自组装单层沉积在该衬底的这些结构的顶表面上，而不将该自组装单层沉积在位于该衬底的这些结构的顶表面下方的表面上，该自组装单层为特定填充材料提供去湿润表面状况； 通过旋涂沉积将该特定填充材料沉积在该衬底上，使得该特定填充材料填充这些凹部而不附着到该自组装单层； 移除该自组装单层； 移除所述硬掩模；以及 在移除所述硬掩模之后，通过旋涂沉积将平坦化膜沉积在该衬底上，该平坦化膜沉积在这些结构的顶表面上以及填充这些凹部的该特定填充材料的顶表面上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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