深圳市海思半导体有限公司孙立杰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市海思半导体有限公司申请的专利一种围栅器件的设计方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114077815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010807267.7，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种围栅器件的设计方法和装置是由孙立杰;蒋晓波;黄威森;余华涛设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种围栅器件的设计方法和装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种围栅器件的设计方法及装置，涉及集成电路技术领域。用于解决围栅GAA结构的场效应器件的布局版图设计时间过长、效率较低的问题。该方法包括：根据中道MEOL电容模型和围栅GAA版图库经过编译生成MEOL动态链接库，其中，GAA版图库是围栅GAA结构的集成电路器件版图库，包括多个GAA版图，MEOL电容模型是基于GAA器件工艺设计参数的MEOL模型；通过调用MEOL动态链接库和后道BEOL电容模型得到GAA的电阻电容RC工艺数据库；根据当前版图设计对GAARC工艺数据库进行2.5D版图扫描，得到与当前版图设计匹配的RC寄生参数。
本发明授权一种围栅器件的设计方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种围栅器件的设计方法，其特征在于，所述方法包括： 根据中道MEOL电容模型和围栅GAA版图库经过编译生成MEOL动态链接库，其中，所述GAA版图库是围栅GAA结构的集成电路器件版图库，包括多个GAA版图，所述MEOL电容模型是基于所述GAA器件工艺设计参数的MEOL模型； 通过调用所述MEOL动态链接库和后道BEOL电容模型得到GAA的电阻电容RC工艺数据库； 根据当前版图设计对所述GAA的电阻电容RC工艺数据库进行2.5D版图扫描，得到与所述当前版图设计匹配的RC寄生参数。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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