三星电子株式会社司空炫哲获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括端部分比线性部分更宽的栅极结构的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111146199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910962329.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权包括端部分比线性部分更宽的栅极结构的半导体器件是由司空炫哲;金成恩;金镇祐;朴浚均;裴相友;崔琦铉设计研发完成，并于2019-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括端部分比线性部分更宽的栅极结构的半导体器件在说明书摘要公布了：半导体器件可包括在衬底上主要在第一方向上延伸的有源区域。栅极结构可被设置为与有源区域交叉，并且主要在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极隔离图案可接触栅极结构的一端。栅极结构可包括多个部分，该多个部分各自在第一方向上具有不同的宽度，并且栅极隔离图案可具有大于栅极结构的所述多个部分中的至少一个部分的宽度的宽度。
本发明授权包括端部分比线性部分更宽的栅极结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸； 栅极结构，其与所述有源区域交叉，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及 栅极隔离图案，其在所述第二方向上接触所述栅极结构的一端， 其中，所述栅极结构包括多个部分，所述多个部分各自在所述第一方向上具有不同的宽度，并且所述栅极隔离图案具有大于所述栅极结构的所述多个部分中的至少一个部分的宽度的宽度，并且 其中，所述栅极结构包括所述多个部分中的在所述第一方向上具有第一宽度的线性部分、以及所述多个部分中的与所述栅极隔离图案接触并在所述第一方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度的端部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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