成都天一晶能半导体有限公司林洪峰获国家专利权
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龙图腾网获悉成都天一晶能半导体有限公司申请的专利一种生长碳化硅单晶的热场结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223866832U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322179297.X，技术领域涉及：C30B27/00；该实用新型一种生长碳化硅单晶的热场结构是由林洪峰;王程;李书森;汪愈丰;蔡蔚;刘令设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种生长碳化硅单晶的热场结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种生长碳化硅单晶的热场结构，包括保温座体、侧壁加热机构、底部加热机构，保温座体的内部设置有坩埚，所述保温座体与坩埚的侧壁之间设置有侧壁加热机构，且保温座体与坩埚的底部之间设置有电阻式加热的底部加热机构；侧壁加热机构包括从上至下依次设置的电导率不同的若干段感应加热单元，且保温座体的外侧对应设置有感应线圈。本实用新型通过侧壁加热机构与底部加热机构协同扩大了坩埚内部液体的轴向温度梯度的调控范围；并且通过电阻式加热的底部加热机构避免趋肤效应导致的底部加热不充分问题，使坩埚底部加热充分且均匀，实现坩埚内部液体的径向温度梯度减小，使晶体应力减小，实现了晶体高质量生长，具有较好的实用性。
本实用新型一种生长碳化硅单晶的热场结构在权利要求书中公布了：1.一种生长碳化硅单晶的热场结构，其特征在于，包括保温座体、侧壁加热机构、底部加热机构，所述保温座体的内部设置有坩埚4，所述保温座体与坩埚4的侧壁之间设置有侧壁加热机构，且保温座体与坩埚4的底部之间设置有电阻式加热的底部加热机构；所述侧壁加热机构包括从上至下依次设置的电导率不同的若干段感应加热单元，且保温座体的外侧对应设置有感应线圈10； 所述底部加热机构包括从上至下依次设置的绝缘导热层5、底部加热单元、绝缘层7，所述底部加热单元的两侧分别通过绝缘导热层5、绝缘层7与坩埚4、保温座体连接。
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